Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
AO4496

AO4496

AO4496
;
AO4496

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена AO4496 при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AO4496 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AO4496

AO4496 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (нормально закрытый)
    • Тип поля: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 30В
    • Рабочный ток: 10А
    • Пакет: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Низкое значение Rds(on)
    • Устойчивость к переносу напряжения
    • Малые размеры благодаря компактному пакету 8SOIC
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с эрозией при длительном использовании в условиях влажности
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в инверторах для привода электродвигателей
    • Использование в системах управления двигателем
    • Работа в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики AO4496

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    715 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • по запросу
Минимально и кратно 3 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена AO4496 при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AO4496 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AO4496

AO4496 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (нормально закрытый)
    • Тип поля: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 30В
    • Рабочный ток: 10А
    • Пакет: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Низкое значение Rds(on)
    • Устойчивость к переносу напряжения
    • Малые размеры благодаря компактному пакету 8SOIC
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с эрозией при длительном использовании в условиях влажности
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в инверторах для привода электродвигателей
    • Использование в системах управления двигателем
    • Работа в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики AO4496

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    715 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3 шт