Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
AO6604
  • В избранное
  • В сравнение
AO6604

AO6604

AO6604
;
AO6604

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Артикул:
    AO6604
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOPВсе характеристики

Минимальная цена AO6604 при покупке от 1 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AO6604 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AO6604

AO6604 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-FET)
    • Тип канала: N/P-канальный
    • Номинальное напряжение на разряд: 20В
    • Количество пакетов: 6-TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малое значение тока течения при открытом канале (Ron)
    • Доступность в компактном пакете
    • Устойчивость к статическому электричеству
  • Минусы:
    • Требует дополнительного источника питания для блока управления
    • Существуют ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • В качестве ключей в инверторах и преобразователях
    • Регулировка мощности в различных приборах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Беспроводных устройствах
    • Инверторах для бытовой техники
    • Преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики AO6604

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.4A, 2.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    320pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP

Техническая документация

 AO6604.pdf
pdf. 0 kb
  • 26336 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    145 ₽
  • 100
    58 ₽
  • 1000
    40 ₽
  • 6000
    31.4 ₽
  • 15000
    28.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Артикул:
    AO6604
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOPВсе характеристики

Минимальная цена AO6604 при покупке от 1 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AO6604 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AO6604

AO6604 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-FET)
    • Тип канала: N/P-канальный
    • Номинальное напряжение на разряд: 20В
    • Количество пакетов: 6-TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малое значение тока течения при открытом канале (Ron)
    • Доступность в компактном пакете
    • Устойчивость к статическому электричеству
  • Минусы:
    • Требует дополнительного источника питания для блока управления
    • Существуют ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • В качестве ключей в инверторах и преобразователях
    • Регулировка мощности в различных приборах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Беспроводных устройствах
    • Инверторах для бытовой техники
    • Преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики AO6604

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.4A, 2.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    320pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP

Техническая документация

 AO6604.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI6968BEDQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
    285Кешбэк 42 балла
    SI5504BDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
    293Кешбэк 43 балла
    SIZ300DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
    308Кешбэк 46 баллов
    ALD1106PBLТранзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
    1 415Кешбэк 212 баллов
    ALD1107PBLТранзистор: MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
    1 415Кешбэк 212 баллов
    ALD1105PBLТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
    1 419Кешбэк 212 баллов
    ALD110900PALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    1 421Кешбэк 213 баллов
    ALD1103SBLТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
    1 958Кешбэк 293 балла
    ALD212900PALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
    1 519Кешбэк 227 баллов
    ALD1103PBLТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
    1 958Кешбэк 293 балла
    ALD210800ASCLТранзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
    1 938Кешбэк 290 баллов
    ALD110800APCLТранзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
    2 032Кешбэк 304 балла
    ALD212900APALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
    1 804Кешбэк 270 баллов
    ALD110900APALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    1 795Кешбэк 269 баллов
    FDPC5018SGТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
    320Кешбэк 48 баллов
    FDG6322CТранзистор: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
    130Кешбэк 19 баллов
    FDY1002PZТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
    152Кешбэк 22 балла
    FDMB2307NZТранзистор: MOSFET 2N-CH 6MLP
    261Кешбэк 39 баллов
    FDS8858CZТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIC
    272Кешбэк 40 баллов
    FDS4897CТранзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOIC
    265Кешбэк 39 баллов
    FDS3992Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
    398Кешбэк 59 баллов
    FDZ1323NZТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
    293Кешбэк 43 балла
    FDMS3660SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
    282Кешбэк 42 балла
    FDMA1028NZТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
    159Кешбэк 23 балла
    FDMS7602SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
    324Кешбэк 48 баллов
    FDPC5030SGТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
    120Кешбэк 18 баллов
    FDMB2308PZТранзистор: MOSFET 2P-CH MLP2X3
    497Кешбэк 74 балла
    FDMS8090Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
    1 226Кешбэк 183 балла
    FDMC8200SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
    245Кешбэк 36 баллов
    NDS9945Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
    445Кешбэк 66 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП