Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
AOTF9N70
AOTF9N70

AOTF9N70

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    AOTF9N70

Минимальная цена AOTF9N70 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AOTF9N70 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AOTF9N70

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2Ohm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1630 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    AOTF9
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    AOTF9N70

Минимальная цена AOTF9N70 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AOTF9N70 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AOTF9N70

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2Ohm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1630 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    AOTF9

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FQPF19N10MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
    142Кешбэк 21 балл
    IRF9530Транзистор: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
    272Кешбэк 40 баллов
    BSC034N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
    210Кешбэк 31 балл
    NVMFS5C468NLT1GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    136Кешбэк 20 баллов
    CSD19536KCSMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
    1 146Кешбэк 171 балл
    SI7686DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    356Кешбэк 53 балла
    NTMFS4837NT1GMOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
    87Кешбэк 13 баллов
    TK7P50D(T6RSS-Q)MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    CSD17527Q5AMOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
    344Кешбэк 51 балл
    SI7810DN-T1-E3MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
    374Кешбэк 56 баллов
    IXFH10N80PMOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
    923Кешбэк 138 баллов
    IRF6662TRPBFMOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
    274Кешбэк 41 балл
    DMP2123L-7MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    STH410N4F7-2AGMOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
    1 307Кешбэк 196 баллов
    IXTX90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
    6 806Кешбэк 1 020 баллов
    IPD068N10N3GATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
    229Кешбэк 34 балла
    STH360N4F6-2MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
    1 632Кешбэк 244 балла
    BSS84-7-FТранзистор: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    AUIRLR3410TRLMOSFET N-CH 100V 17A DPAK
    585Кешбэк 87 баллов
    STW40N65M2MOSFET N-CH 650V 32A TO247
    1 163Кешбэк 174 балла
    STL38N65M5MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
    1 316Кешбэк 197 баллов
    FDPF7N60NZTMOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
    193Кешбэк 28 баллов
    TP2535N3-GMOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
    344Кешбэк 51 балл
    RSH070N05TB1MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
    261Кешбэк 39 баллов
    IRF2804STRL7PPMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    706Кешбэк 105 баллов
    IRL520PBFMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    395Кешбэк 59 баллов
    DMN3010LK3-13MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
    174Кешбэк 26 баллов
    NTMFS4708NT1GMOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
    68Кешбэк 10 баллов
    STY145N65M5MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
    6 647Кешбэк 997 баллов
    FDD6680AMOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
    329Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП