Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

AOY66923

AOY66923

AOY66923

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Артикул:
AOY66923
Описание:
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251BВсе характеристики

Минимальная цена AOY66923 при покупке от 1 шт 332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AOY66923 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики AOY66923

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.5A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1725 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс)
6.2W (Ta), 73W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-251B
Корпус
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Техническая документация

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

5373 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
332 ₽
70
150 ₽
560
110 ₽
2030
94 ₽
10010
84 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Артикул:
AOY66923
Описание:
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251BВсе характеристики

Минимальная цена AOY66923 при покупке от 1 шт 332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AOY66923 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики AOY66923

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.5A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1725 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс)
6.2W (Ta), 73W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-251B
Корпус
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Техническая документация

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

BSC0904NSIATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

211Кешбэк 31 балл

HUF75639P3-F102 MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3

525Кешбэк 78 баллов

RQ5C030TPTL MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

123Кешбэк 18 баллов

RSJ400N06FRATL MOSFET N-CH 60V 40A LPTS

399Кешбэк 59 баллов

IRF9522 P-CHANNEL POWER MOSFET

182Кешбэк 27 баллов

2SK3055-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET

419Кешбэк 62 балла

SIHB17N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

521Кешбэк 78 баллов

RF4L040ATTCR Диод: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS

139Кешбэк 20 баллов

SI4850BDY-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO

182Кешбэк 27 баллов

RQ5A025ZPTL MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

115Кешбэк 17 баллов

DMP4010SK3-13 MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252

301Кешбэк 45 баллов

IPD60R360P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

100Кешбэк 15 баллов

GT060N04D3 N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10

193Кешбэк 28 баллов

PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33

84Кешбэк 12 баллов

IPLK80R750P7ATMA1 MOSFET 800V TDSON-8

189Кешбэк 28 баллов

STW7N90K5 MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3

590Кешбэк 88 баллов

DMG1013TQ-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

53Кешбэк 7 баллов

FDPF7N50U-G MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

167Кешбэк 25 баллов

SQJ402EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

256Кешбэк 38 баллов

BSZ065N06LS5ATMA1 MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON

276Кешбэк 41 балл

IRF840BPBF-BE3 MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

355Кешбэк 53 балла

SIS822DNT-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

84Кешбэк 12 баллов

DMN2025U-7 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3

60Кешбэк 9 баллов

NTMFS5H610NLT1G MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN

210Кешбэк 31 балл

SI3457CDV-T1-BE3 P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

138Кешбэк 20 баллов

G12P04K P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45

148Кешбэк 22 балла

TSM160P02CS RLG MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP

190Кешбэк 28 баллов

SIUD401ED-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806

80Кешбэк 12 баллов

SISS10ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK

272Кешбэк 40 баллов

BSC016N06NSATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON

405Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды - выпрямители - массивы

Принадлежности

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Тиристоры - SCR - модули

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Триодные тиристоры - Одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

IGBT транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Высокочастотные диоды

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды - выпрямители - одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - Модули

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Тиристоры - TRIACs

Высокочастотные биполярные транзисторы

Триодные тиристоры - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - SCR

Диоды силовые

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды - мостовые выпрямители

Диоды выпрямительные - Сборки

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Симисторы

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Модули драйверов питания

Симисторы - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Драйверы питания - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки

Диодные мосты

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - JFET

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали