Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
APT14M120S

APT14M120S

APT14M120S
;
APT14M120S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена APT14M120S при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT14M120S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT14M120S

APT14M120S Microchip Technology MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200В
    • Номинальный ток (ID(on)): 14А
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Пакет: D3PAK
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения (1200В), что позволяет использовать его в различных приложениях с высоким напряжением
    • Высокая токовая способность (14А), что делает его подходящим для высокотоковых приложений
    • Малая диссипация тепла благодаря хорошему термальному дизайну
    • Стабильные электрические характеристики
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и скачков напряжения
    • Тепловые характеристики могут быть ограничены в некоторых приложениях без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регуляторах напряжения
    • Драйверах для двигателей
    • Системах управления силами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Промышленных преобразователях
    • Электронных устройствах, требующих высокотокового управления
    • Устройствах с высоким напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики APT14M120S

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4765 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D3PAK
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    APT14M120

Техническая документация

APT14M120S.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена APT14M120S при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT14M120S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT14M120S

APT14M120S Microchip Technology MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200В
    • Номинальный ток (ID(on)): 14А
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Пакет: D3PAK
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения (1200В), что позволяет использовать его в различных приложениях с высоким напряжением
    • Высокая токовая способность (14А), что делает его подходящим для высокотоковых приложений
    • Малая диссипация тепла благодаря хорошему термальному дизайну
    • Стабильные электрические характеристики
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и скачков напряжения
    • Тепловые характеристики могут быть ограничены в некоторых приложениях без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регуляторах напряжения
    • Драйверах для двигателей
    • Системах управления силами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Промышленных преобразователях
    • Электронных устройствах, требующих высокотокового управления
    • Устройствах с высоким напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики APT14M120S

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4765 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D3PAK
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    APT14M120

Техническая документация

APT14M120S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории