Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT35GN120L2DQ2G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 94A 379W TO264Все характеристики

Минимальная цена APT35GN120L2DQ2G при покупке от 1 шт 2077.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT35GN120L2DQ2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT35GN120L2DQ2G

  • Тип IGBT
    NPT, Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    94 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    105 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Рассеивание мощности
    379 W
  • Энергия переключения
    2.315mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    220 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    24ns/300ns
  • Условие испытаний
    800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-264-3, TO-264AA
  • Base Product Number
    APT35GN120
Техническая документация
APT35GN120L2DQ2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 60 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 077 ₽
  • 100
    1 689 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT35GN120L2DQ2G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 94A 379W TO264Все характеристики

Минимальная цена APT35GN120L2DQ2G при покупке от 1 шт 2077.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT35GN120L2DQ2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT35GN120L2DQ2G

  • Тип IGBT
    NPT, Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    94 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    105 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Рассеивание мощности
    379 W
  • Энергия переключения
    2.315mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    220 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    24ns/300ns
  • Условие испытаний
    800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-264-3, TO-264AA
  • Base Product Number
    APT35GN120
Техническая документация
APT35GN120L2DQ2G.pdf
pdf. 0 kb