APT35GN120SG

APT35GN120SG — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Microchip Technology. Это транзистор сingle полевого типа с изолированным входом, предназначен для работы при напряжении до 1200 В и токе до 35 А.

• Основные параметры:
• Напряжение ведущей колодки: 1200 В
• Разрядное напряжение: 670 В
• Ток ведущей колодки: 35 А
• Питательная мощность: 18 Вт
• Частота: до 20 кГц
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C

• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
• Изолированный вход обеспечивает хорошую защиту от обратного напряжения
• Низкий питательный ток
• Высокая надежность и долгий срок службы

• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
• Требуются дополнительные компоненты для управления

• Общее назначение:
• Использование в промышленных преобразователях частоты
• Применение в системах управления двигателем
• В трансформаторах и инверторах
• Контроль потребления энергии в бытовой технике

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные электроприводы
• Системы управления энергопотреблением
• Необходимые в возобновляемых источниках энергии