Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
APT35GP120B2D2G
APT35GP120B2D2G

APT35GP120B2D2G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT35GP120B2D2G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247Все характеристики

Минимальная цена APT35GP120B2D2G при покупке от 1 шт 3689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT35GP120B2D2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT35GP120B2D2G

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    96 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    140 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Рассеивание мощности
    540 W
  • Энергия переключения
    1mJ (on), 1.185mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    150 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    14ns, 99ns
  • Условие испытаний
    800V, 35A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    85 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3 Variant
  • Исполнение корпуса
    T-MAX™ [B2]
  • Base Product Number
    APT35
  • В избранное
  • В сравнение
  • 34 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 689 ₽
  • 100
    3 188 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT35GP120B2D2G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247Все характеристики

Минимальная цена APT35GP120B2D2G при покупке от 1 шт 3689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT35GP120B2D2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT35GP120B2D2G

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    96 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    140 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Рассеивание мощности
    540 W
  • Энергия переключения
    1mJ (on), 1.185mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    150 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    14ns, 99ns
  • Условие испытаний
    800V, 35A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    85 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3 Variant
  • Исполнение корпуса
    T-MAX™ [B2]
  • Base Product Number
    APT35

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HGT1S15N120C3Транзистор: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
    NGTB25N120FL2WAGТранзистор: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
    IXYA20N120B4HVТранзистор: IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    IKWH30N65WR6XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH
    FGH75T65SQDNL4Транзистор: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
    STGWA75H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    CY25CAH-8F-T13#F10Транзистор: N-CHANNEL IGBT 400V, 150A
    STGWA50IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
    APT20GF120BRDGТранзистор: IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247
    HGTG12N60DIDТранзистор: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
    STGWA50HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
    RGTV80TS65DGC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    RGPR10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    STGWT40HP65FBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    IKD04N60RC2ATMA1Транзистор: IKD04N60RC2ATMA1
    HGTP3N60C3Транзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    GT30N135SRA,S1EТранзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
    AIGW40N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    DGTD120T25S1PTТранзистор: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
    IKZA40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    IGW40N60TPXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3
    RGS50TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    AFGY100T65SPDТранзистор: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
    FGY75T95SQDTТранзистор: IGBT 950V 75A
    AFGHL75T65SQDCТранзистор: IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT
    HGT1S14N41G3VLSТранзистор: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL
    IXYA20N65C3D1Транзистор: IGBT
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    ISL9V5045S3ST-F085CТранзистор: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП