Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
APT50GN60BDQ3G
APT50GN60BDQ3G

APT50GN60BDQ3G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    APT50GN60BDQ3G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TOВсе характеристики

Минимальная цена APT50GN60BDQ3G при покупке от 1 шт 2690.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT50GN60BDQ3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT50GN60BDQ3G

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
    Тип IGBT Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    107 A
    Максимальный Ток Коллектора (Ic) 107 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    150 A
    Коллекторный ток (Icm) 150 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 50A
    Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    366 W
    Рассеивание мощности 366 W
  • Энергия переключения
    1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
    Энергия переключения 1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
    Тип входа Standard
  • Заряд затвора
    325 nC
    Заряд затвора 325 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/230ns
    Td (on/off) @ 25°C 20ns/230ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
    Условие испытаний 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 35 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
    Корпус TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
    Исполнение корпуса TO-247-3
  • Base Product Number
    APT50GN60
    Base Product Number APT50GN60
Техническая документация
 APT50GN60BDQ3G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 690 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Артикул:
    APT50GN60BDQ3G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TOВсе характеристики

Минимальная цена APT50GN60BDQ3G при покупке от 1 шт 2690.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT50GN60BDQ3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT50GN60BDQ3G

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
    Тип IGBT Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    107 A
    Максимальный Ток Коллектора (Ic) 107 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    150 A
    Коллекторный ток (Icm) 150 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 50A
    Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    366 W
    Рассеивание мощности 366 W
  • Энергия переключения
    1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
    Энергия переключения 1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
    Тип входа Standard
  • Заряд затвора
    325 nC
    Заряд затвора 325 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/230ns
    Td (on/off) @ 25°C 20ns/230ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
    Условие испытаний 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 35 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
    Корпус TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
    Исполнение корпуса TO-247-3
  • Base Product Number
    APT50GN60
    Base Product Number APT50GN60
Техническая документация
 APT50GN60BDQ3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IGT6D20Транзистор: 20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE
    IKW30N60H3FKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    IGTM10N50AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    IGTM10N50Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    HGT1S3N60C3DSТранзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    HGT1S20N36G3VLSТранзистор: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL
    IXYX110N120B4Транзистор: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT PLUS247
    FGB3236-F085IGBT, 360V, 27A, ECOSPARK II, N-
    IKP20N60H3XKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 170W TO220-3
    IKN03N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    AIKQ120N75CP2XKSA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3
    RJP4002ANS-00#Q1Транзистор: IGBT
    FGD3040G2-F085CТранзистор: ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252
    STGF20H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    HGTP10N50E1DТранзистор: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    RGTV00TK65DGC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    IHW30N160R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    RJP63F3DPP-Z0#T2Транзистор: N CH IGBT
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП