APT50GT120B2RDQ2G

• Высокая надежность и долговечность.
• Эффективность в работе при больших нагрузках.
• Устойчивость к перегреву.
• Простота управления через входной канал MOSFET.

Основные минусы:

• Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами транзисторов.
• Большие размеры пакета TO247.
• Высокие потери при включении и выключении.

Общее назначение: IGBTs используются для управления токами в различных приложениях, где требуется высокая мощность и эффективность. Это может включать:

• Промышленные преобразователи питания.
• Автомобильные системы.
• Системы управления электрическими машинами.
• Солнечные панели и другие источники возобновляемой энергии.