Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
APT50M50JVR
  • В избранное
  • В сравнение
APT50M50JVR

APT50M50JVR

APT50M50JVR
;
APT50M50JVR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT50M50JVR
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 77A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT50M50JVR при покупке от 1 шт 12443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT50M50JVR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT50M50JVR

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    77A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1000 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    19600 pF @ 25 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    APT50M50

Техническая документация

 APT50M50JVR.pdf
pdf. 0 kb
  • 16 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    12 443 ₽
  • 100
    10 102 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT50M50JVR
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 77A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT50M50JVR при покупке от 1 шт 12443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT50M50JVR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики APT50M50JVR

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    77A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1000 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    19600 pF @ 25 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    APT50M50

Техническая документация

 APT50M50JVR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD6030BLN-CHANNEL POWER MOSFET
    307Кешбэк 46 баллов
    2SK1657-T1B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    86Кешбэк 12 баллов
    SQS407ENW-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
    290Кешбэк 43 балла
    IRFW740BTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    84Кешбэк 12 баллов
    ISL9N308AD3N-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    RJK60S5DPK-M0#T0MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG
    3 386Кешбэк 507 баллов
    MTB10N40ET4N-CHANNEL POWER MOSFET
    236Кешбэк 35 баллов
    SISS65DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    342Кешбэк 51 балл
    UF3C170400K3SSICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
    1 699Кешбэк 254 балла
    2SJ646-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    58Кешбэк 8 баллов
    SI4459BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
    318Кешбэк 47 баллов
    DMTH6016LFDFWQ-7RMOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
    182Кешбэк 27 баллов
    FDD6692N-CHANNEL POWER MOSFET
    164Кешбэк 24 балла
    BSZ024N04LS6ATMA1MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
    206Кешбэк 30 баллов
    SIA445EDJT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
    139Кешбэк 20 баллов
    FDD9411-F085MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
    84Кешбэк 12 баллов
    BSC007N04LS6ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
    649Кешбэк 97 баллов
    SSM3J168F,LFMOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
    76Кешбэк 11 баллов
    SIHD2N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
    374Кешбэк 56 баллов
    NDS0610-GFET -60V 10.0 MOHM SOT23
    59Кешбэк 8 баллов
    SI4425FDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
    197Кешбэк 29 баллов
    RFP42N03LMOSFET N-CH 30V 42A TO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    FDU6692N-CHANNEL POWER MOSFET
    244Кешбэк 36 баллов
    2SJ166(1)-T1B-AP-CHANNEL, MOSFET
    113Кешбэк 16 баллов
    SSM3K361R,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
    86Кешбэк 12 баллов
    SQJ457EP-T1_GE3MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
    255Кешбэк 38 баллов
    AON6262EMOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
    309Кешбэк 46 баллов
    AONS21321MOSFET P-CH 30V 14A/24A 8DFN
    147Кешбэк 22 балла
    2SK4096LS-1EN-CHANNEL POWER MOSFET
    312Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП