APT75GN120LG

Основные параметры: Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) – 1200В, Ток коллектора (Ic) – 200А, Мощность – 833Вт, Корпус – TO264.

Плюсы: Высокое напряжение и ток, что позволяет использовать в мощных приложениях; Относительно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для минимизации потерь на проводимость; Защита от короткого замыкания и перегрева; Простая установка благодаря корпусу TO264.

Минусы: Более медленное переключение по сравнению с MOSFET; Требует драйвера с изолированным источником питания из-за высокого напряжения; Чувствителен к перенапряжениям и dv/dt.

Общее назначение: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе преимущества MOSFET (простота управления) и биполярного транзистора (высокая пропускная способность и низкое падение напряжения). Используется в качестве электронного переключателя в мощных цепях.

Область применения:

• Инверторы мощности (солнечные, ветряные).
• Источники бесперебойного питания (UPS).
• Электрические транспортные средства (электромобили, электробусы).
• Промышленная техника (сварочные аппараты, промышленные нагреватели).
• Системы управления двигателями.