Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
ART2K0FEU
  • В избранное
  • В сравнение
ART2K0FEU

ART2K0FEU

ART2K0FEU
;
ART2K0FEU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    ART2K0FEU
  • Описание:
    Транзистор: ART2K0FE/SOT539/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена ART2K0FEU при покупке от 1 шт 50457.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ART2K0FEU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ART2K0FEU

Транзистор ART2K0FE/SOT539/TRAY от Ampleon USA Inc.

  • Основные параметры:
    • Тип: Маломощный транзистор
    • Пакет: SOT539 (трay)
    • Максимальное напряжение: 20 В
    • Максимальная токовая плотность: 1.4 А/мм2
    • Температурный диапазон: -40°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Надежность работы при высоких температурах
    • Устойчивость к ионизирующим излучениям
    • Компактный размер пакета для легкого монтажа
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Малая мощность по сравнению с более крупными моделями
    • Меньше термическая способность
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Активные элементы в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Передающие устройства для мобильной связи
    • Беспроводные устройства
    • Цифровые устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики ART2K0FEU

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    400MHz
  • Усиление
    28.9dB
  • Тестовое напряжение
    65 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    2000W
  • Нормальное напряжение
    200 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    ART2K0

Техническая документация

 ART2K0FEU.pdf
pdf. 0 kb
  • 452 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 457 ₽
  • 20
    41 996 ₽
  • 40
    40 862 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    ART2K0FEU
  • Описание:
    Транзистор: ART2K0FE/SOT539/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена ART2K0FEU при покупке от 1 шт 50457.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ART2K0FEU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ART2K0FEU

Транзистор ART2K0FE/SOT539/TRAY от Ampleon USA Inc.

  • Основные параметры:
    • Тип: Маломощный транзистор
    • Пакет: SOT539 (трay)
    • Максимальное напряжение: 20 В
    • Максимальная токовая плотность: 1.4 А/мм2
    • Температурный диапазон: -40°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Надежность работы при высоких температурах
    • Устойчивость к ионизирующим излучениям
    • Компактный размер пакета для легкого монтажа
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Малая мощность по сравнению с более крупными моделями
    • Меньше термическая способность
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Активные элементы в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в условиях высоких температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Передающие устройства для мобильной связи
    • Беспроводные устройства
    • Цифровые устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики ART2K0FEU

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    400MHz
  • Усиление
    28.9dB
  • Тестовое напряжение
    65 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    2000W
  • Нормальное напряжение
    200 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    ART2K0

Техническая документация

 ART2K0FEU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SJ277-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    361Кешбэк 54 балла
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    80 343Кешбэк 12 051 балл
    A3G26D055NT4Транзистор: RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V
    9 445Кешбэк 1 416 баллов
    SAV-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V SC70-4
    3 055Кешбэк 458 баллов
    BLP15H9S10GZТранзистор: BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
    4 094Кешбэк 614 баллов
    BLP15M9S70GZТранзистор: BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP
    4 813Кешбэк 721 балл
    BLP9G0722-20GZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
    3 663Кешбэк 549 баллов
    2SK4087LS-SHPNCH 10V DRIVE SERIES
    589Кешбэк 88 баллов
    PTFC270101M-V1-R1KТранзистор: RFP-LD10M
    3 209Кешбэк 481 балл
    74CBTLV3126PWRМикросхема: IC LV QUAD FET BUS SW 14-TSSOP
    135Кешбэк 20 баллов
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    91Кешбэк 13 баллов
    TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
    2 544Кешбэк 381 балл
    BLM9D0910-05AMZBLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP
    3 135Кешбэк 470 баллов
    CLF1G0035-100PТранзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    2SK4101FS-V-HNCH 10V DRIVE SERIES
    339Кешбэк 50 баллов
    AFM906NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN
    482Кешбэк 72 балла
    2SK3113-Z-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    322Кешбэк 48 баллов
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 708Кешбэк 706 баллов
    BLP15H9S30GZТранзистор: BLP15H9S30G/SOT1483/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    MRF101ANТранзистор: RF TRANSISTOR 100W TO-220
    7 774Кешбэк 1 166 баллов
    BLM10D3438-35ABZBLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
    4 265Кешбэк 639 баллов
    MRF24301HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS NI780H
    20 320Кешбэк 3 048 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 544Кешбэк 381 балл
    BLM9D2527-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 036Кешбэк 905 баллов
    CGHV27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
    15 071Кешбэк 2 260 баллов
    BLP15H9S100ZТранзистор: BLP15H9S100/SOT1482/REELDP
    4 971Кешбэк 745 баллов
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    TA9110KPA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V
    4 956Кешбэк 743 балла
    BLM10D3740-35ABZBLM10D3740-35AB/SOT1462/REELDP
    6 056Кешбэк 908 баллов
    BLP15H9S100GZТранзистор: BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP
    4 971Кешбэк 745 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП