Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
ATP602-TL-H
ATP602-TL-H

ATP602-TL-H

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    ATP602-TL-H
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 5A ATPAKВсе характеристики

Минимальная цена ATP602-TL-H при покупке от 1 шт 259.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ATP602-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ATP602-TL-H

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7Ohm @ 2.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ATPAK
  • Корпус
    ATPAK (2 leads+tab)
  • Base Product Number
    ATP602
Техническая документация
 ATP602-TL-H.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 66000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    259 ₽
  • 317
    178 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    ATP602-TL-H
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 5A ATPAKВсе характеристики

Минимальная цена ATP602-TL-H при покупке от 1 шт 259.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ATP602-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ATP602-TL-H

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7Ohm @ 2.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ATPAK
  • Корпус
    ATPAK (2 leads+tab)
  • Base Product Number
    ATP602
Техническая документация
 ATP602-TL-H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AON7400AMOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN
    126Кешбэк 18 баллов
    PMT200EN,115MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
    18.8Кешбэк 2 балла
    MCH6431-TL-HMOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH
    41Кешбэк 6 баллов
    STF28N65M2Транзистор: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
    831Кешбэк 124 балла
    IRFB7540PBFMOSFET N-CH 60V 110A TO220
    327Кешбэк 49 баллов
    IRF9610SPBFMOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
    426Кешбэк 63 балла
    AON7508MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
    222Кешбэк 33 балла
    IRFR210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    75Кешбэк 11 баллов
    NTD4813NHT4GMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    FDA59N30Транзистор: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
    1 110Кешбэк 166 баллов
    IRF40B207MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
    137Кешбэк 20 баллов
    2SK4043LSMOSFET N-CH 30V 20A TO220FI
    374Кешбэк 56 баллов
    CSD16415Q5MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    666Кешбэк 99 баллов
    BSP321PH6327XTSA1MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
    261Кешбэк 39 баллов
    FQD1N60TMMOSFET N-CH 600V 1A DPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    2N7000Транзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    39.4Кешбэк 5 баллов
    STU2N62K3MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
    342Кешбэк 51 балл
    STB80NF03L-04T4MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
    841Кешбэк 126 баллов
    5HP01C-TB-E
    22.5Кешбэк 3 балла
    BSS606NH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
    124Кешбэк 18 баллов
    STB140NF55T4MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
    321Кешбэк 48 баллов
    FDB0165N807LMOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
    1 524Кешбэк 228 баллов
    SI1443EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
    103Кешбэк 15 баллов
    SIS892DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
    314Кешбэк 47 баллов
    FDMT80060DCMOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
    1 267Кешбэк 190 баллов
    STFW3N150MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
    830Кешбэк 124 балла
    PSMN019-100YLXMOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
    96Кешбэк 14 баллов
    STH275N8F7-6AGMOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
    1 066Кешбэк 159 баллов
    IPD65R380E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    426Кешбэк 63 балла
    TK46A08N1,S4XMOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
    338Кешбэк 50 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП