Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
B80C800G-E4/51
  • В избранное
  • В сравнение
B80C800G-E4/51

B80C800G-E4/51

B80C800G-E4/51
;
B80C800G-E4/51

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    B80C800G-E4/51
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOGВсе характеристики

Минимальная цена B80C800G-E4/51 при покупке от 1 шт 169.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить B80C800G-E4/51 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание B80C800G-E4/51

B80C800G-E4/51 VISHAY BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG — это мостовой диод, который используется для преобразования переменного тока в постоянный. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 125 В
  • Номинальный ток: 900 мА
  • Количество полупроводников: 1
  • Форма корпуса: WOG (Wide Outline Glass)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Малый размер и легкость в установке

Минусы:

  • Могут быть чувствительны к механическим воздействиям
  • Не подходят для высокочастотных приложений

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного тока и обеспечения одностороннего прохождения тока.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Системы управления энергопотреблением
  • Промышленное оборудование
  • Электропитание и зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики B80C800G-E4/51

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    125 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    900 mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 900 mA
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 125 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Circular, WOG
  • Исполнение корпуса
    WOG
  • Base Product Number
    B80

Техническая документация

 B80C800G-E4/51.pdf
pdf. 0 kb
  • 1964 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    169 ₽
  • 100
    70 ₽
  • 1000
    48 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    B80C800G-E4/51
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOGВсе характеристики

Минимальная цена B80C800G-E4/51 при покупке от 1 шт 169.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить B80C800G-E4/51 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание B80C800G-E4/51

B80C800G-E4/51 VISHAY BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG — это мостовой диод, который используется для преобразования переменного тока в постоянный. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 125 В
  • Номинальный ток: 900 мА
  • Количество полупроводников: 1
  • Форма корпуса: WOG (Wide Outline Glass)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Малый размер и легкость в установке

Минусы:

  • Могут быть чувствительны к механическим воздействиям
  • Не подходят для высокочастотных приложений

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного тока и обеспечения одностороннего прохождения тока.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Системы управления энергопотреблением
  • Промышленное оборудование
  • Электропитание и зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики B80C800G-E4/51

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    125 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    900 mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 900 mA
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 125 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Circular, WOG
  • Исполнение корпуса
    WOG
  • Base Product Number
    B80

Техническая документация

 B80C800G-E4/51.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBU8DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU
    513Кешбэк 76 баллов
    GBU4GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU
    439Кешбэк 65 баллов
    GBPC1202BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    1 330Кешбэк 199 баллов
    GBU8GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU
    561Кешбэк 84 балла
    FMP1T148Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 80V 25MA SMD5
    119Кешбэк 17 баллов
    FMN1T148BRIDGE RECT 1PHASE 80V 25MA SMT5
    91Кешбэк 13 баллов
    GBL06Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
    283Кешбэк 42 балла
    GBPC1508Диод: BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    828Кешбэк 124 балла
    VS-2KBB20RBRIDGE RECT 1P 200V 1.9A 2KBB
    456Кешбэк 68 баллов
    DF04S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFS
    189Кешбэк 28 баллов
    RMB4S-E3/80BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA
    261Кешбэк 39 баллов
    DF10SA-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFS
    189Кешбэк 28 баллов
    RMB4S-E3/45BRIDGE RECT 3P 400V TO269AA
    200Кешбэк 30 баллов
    DF1501S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
    217Кешбэк 32 балла
    DF1506S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A DFS
    217Кешбэк 32 балла
    GBPC2504W-E4/51Диод: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W
    952Кешбэк 142 балла
    PB4010-E3/45BRIDGE RECT 1P 1KV 40A PB
    904Кешбэк 135 баллов
    DFL1501S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
    217Кешбэк 32 балла
    DF15005S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DFS
    217Кешбэк 32 балла
    DFL1510S-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
    217Кешбэк 32 балла
    BU1208-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
    698Кешбэк 104 балла
    DF10M-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    213Кешбэк 31 балл
    DF1502S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A DFS
    217Кешбэк 32 балла
    DF04MA-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFM
    180Кешбэк 27 баллов
    PB3506-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 600V 35A PB
    858Кешбэк 128 баллов
    VS-2KBP06BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A D-44
    398Кешбэк 59 баллов
    GBU4K-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
    495Кешбэк 74 балла
    DFL1506S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A DFS
    217Кешбэк 32 балла
    GSIB660-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S
    589Кешбэк 88 баллов
    PB4006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 40A PB
    904Кешбэк 135 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП