Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
BA159G
  • В избранное
  • В сравнение
BA159G

BA159G

BA159G
;
BA159G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BA159G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 1A DO204ALВсе характеристики

Минимальная цена BA159G при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BA159G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BA159G

BA159G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 1A DO204AL

  • Основные параметры:
    • Тип: Общего назначения (General Purpose)
    • Максимальный ток: 1А
    • Объемный номер: DO204AL
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе в широком диапазоне температур
    • Устойчивость к перегреву
    • Небольшие размеры и легкий вес
    • Низкая стоимость
  • Минусы:
    • Меньше эффективность по сравнению с более специализированными диодами
    • Могут быть чувствительны к вибрациям и механическим воздействиям
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электронных устройствах
    • Распределение напряжений в системах питания
    • Компенсация нелинейностей в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Автомобили (адаптеры питания, системы безопасности)
    • Электроприборы (трансформаторы, блоки питания)
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BA159G

  • Тип диода
    Standard
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    250 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BA159

Техническая документация

 BA159G.pdf
pdf. 0 kb
  • 9625 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 100
    20.4 ₽
  • 1000
    13 ₽
  • 5000
    8.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BA159G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 1A DO204ALВсе характеристики

Минимальная цена BA159G при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BA159G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BA159G

BA159G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 1A DO204AL

  • Основные параметры:
    • Тип: Общего назначения (General Purpose)
    • Максимальный ток: 1А
    • Объемный номер: DO204AL
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе в широком диапазоне температур
    • Устойчивость к перегреву
    • Небольшие размеры и легкий вес
    • Низкая стоимость
  • Минусы:
    • Меньше эффективность по сравнению с более специализированными диодами
    • Могут быть чувствительны к вибрациям и механическим воздействиям
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электронных устройствах
    • Распределение напряжений в системах питания
    • Компенсация нелинейностей в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Автомобили (адаптеры питания, системы безопасности)
    • Электроприборы (трансформаторы, блоки питания)
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BA159G

  • Тип диода
    Standard
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    250 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BA159

Техническая документация

 BA159G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RS07D-HM3-08SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO21
    43Кешбэк 6 баллов
    B170Q-13-FДиод: DIODE SCHOTTKY 70V 1A SMA
    67Кешбэк 10 баллов
    CFSH05-20L TR PBFREEDIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882
    85Кешбэк 12 баллов
    VSS8D2M15-M3/I2A, 150V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    78Кешбэк 11 баллов
    D3D7-FDH6308CSMALL SIGNAL DIODE
    13Кешбэк 1 балл
    FFM201-WDIODE FAST 50V 2A 150NS SMB
    13Кешбэк 1 балл
    HRW0203ATR-ERECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
    26Кешбэк 3 балла
    HSM2836C91TR-EDIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING
    29.6Кешбэк 4 балла
    FR1KДиод: DIODE GEN PURP 800V 1A SMB
    5.2Кешбэк 1 балл
    ES3JSMBДиод: DIODE SFR SMB 600V 3A
    163Кешбэк 24 балла
    SMBT1553LT1SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
    18.5Кешбэк 2 балла
    SBRS8190T3G-VF01DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB
    46Кешбэк 6 баллов
    SVT10100U_R1_00001EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER
    135Кешбэк 20 баллов
    GS1006FL-AU_R1_000A1Диод: SOD-123FL, GENERAL
    12.5Кешбэк 1 балл
    BAT760ZДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
    76Кешбэк 11 баллов
    CMMSH1-100G TR PBFREEDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123F
    107Кешбэк 16 баллов
    SDURD560ADIODE GEN PURP 600V DPAK
    128Кешбэк 19 баллов
    RR268MM-600TFTRDIODE GEN PURP 400V 1A PMDU
    104Кешбэк 15 баллов
    1SS380VMTE-171SS380VM IS LOW IR SW
    43Кешбэк 6 баллов
    SL1MДиод: DIODE STD SOD-123FL 1000V 1A
    18.5Кешбэк 2 балла
    TSSA5U50DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
    109Кешбэк 16 баллов
    SGL1-40Диод: SCHOTTKY DO-213AA 40V 1A
    40.4Кешбэк 6 баллов
    SF24GДиод: DIODE GEN PURP 200V 2A DO15
    52Кешбэк 7 баллов
    DSS12USCHOTTKY 20V SOD-123FL
    35Кешбэк 5 баллов
    GL34MДиод: DIODE STD DO-213AA 1000V 0.5A
    33Кешбэк 4 балла
    HS3M V7GDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
    7.5Кешбэк 1 балл
    SDT8A120P5-13DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI 5
    111Кешбэк 16 баллов
    CMHD2003 TR PBFREEDIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123
    39Кешбэк 5 баллов
    HS1MFL75NS 1A 1000V HIGH EFFICIENT REC
    39Кешбэк 5 баллов
    RBR3MM60ATFTRДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 60V-VR 3A-
    107Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП