Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BAP70-02,115

BAP70-02,115

BAP70-02,115
;
BAP70-02,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена BAP70-02,115 при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAP70-02,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAP70-02,115

BAP70-02, 115 NXP USA Inc. Диод: RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 50В
    • Максимальная мощность (Pmax): 415МВт
    • Форм-фактор: SOD523
  • Плюсы:
    • Высокая мощность сопротивления
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и компактный корпус
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Относительно высокая цена по сравнению с другими типами диодов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) приложениях
    • Преобразование напряжения в радиочастотном диапазоне
    • Защита от обратного тока в RF системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Радарные системы
    • Аналоговые и цифровые телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики BAP70-02,115

Техническая документация

BAP70-02,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 1500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    48 ₽
  • 25
    30 ₽
  • 250
    23.4 ₽
  • 1000
    21 ₽
  • 6000
    19.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена BAP70-02,115 при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAP70-02,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAP70-02,115

BAP70-02, 115 NXP USA Inc. Диод: RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 50В
    • Максимальная мощность (Pmax): 415МВт
    • Форм-фактор: SOD523
  • Плюсы:
    • Высокая мощность сопротивления
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и компактный корпус
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Относительно высокая цена по сравнению с другими типами диодов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) приложениях
    • Преобразование напряжения в радиочастотном диапазоне
    • Защита от обратного тока в RF системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Радарные системы
    • Аналоговые и цифровые телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики BAP70-02,115

Техническая документация

BAP70-02,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории