Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BAS116TT1G
  • В избранное
  • В сравнение
BAS116TT1G

BAS116TT1G

BAS116TT1G
;
BAS116TT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BAS116TT1G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75Все характеристики

Минимальная цена BAS116TT1G при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS116TT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS116TT1G

BAS116TT1G от On Semiconductor — диод общего назначения:

  • Номинальное напряжение: 75В
  • Номинальный ток: 200mA
  • Пакет: SC75

Основные параметры:

  • Максимальная обратная напряжённость (VRRM): 80В
  • Максимальный обратный ток (ISM): 400mA
  • Сопротивление при обратном напряжении (RON): ≤0,5Ω (при 25°C)

Плюсы:

  • Высокая надёжность
  • Компактный размер
  • Долгий срок службы
  • Устойчивость к перенапряжению

Минусы:

  • Высокие потери при прямом токе могут быть заметны
  • Не предназначен для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения
  • Разделение линий питания
  • Регулирование направления тока

Применяется в:

  • Электронных устройствах
  • Измерительной технике
  • Автомобильных системах
  • Промышленных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики BAS116TT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 150 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 nA @ 75 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SC-75, SOT-416
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS116

Техническая документация

 BAS116TT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 7638 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.7 ₽
  • 100
    9.6 ₽
  • 3000
    4.3 ₽
  • 9000
    4.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BAS116TT1G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75Все характеристики

Минимальная цена BAS116TT1G при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS116TT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS116TT1G

BAS116TT1G от On Semiconductor — диод общего назначения:

  • Номинальное напряжение: 75В
  • Номинальный ток: 200mA
  • Пакет: SC75

Основные параметры:

  • Максимальная обратная напряжённость (VRRM): 80В
  • Максимальный обратный ток (ISM): 400mA
  • Сопротивление при обратном напряжении (RON): ≤0,5Ω (при 25°C)

Плюсы:

  • Высокая надёжность
  • Компактный размер
  • Долгий срок службы
  • Устойчивость к перенапряжению

Минусы:

  • Высокие потери при прямом токе могут быть заметны
  • Не предназначен для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения
  • Разделение линий питания
  • Регулирование направления тока

Применяется в:

  • Электронных устройствах
  • Измерительной технике
  • Автомобильных системах
  • Промышленных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики BAS116TT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 150 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 nA @ 75 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SC-75, SOT-416
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS116

Техническая документация

 BAS116TT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VSSAF3L45-M3/6ADIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC
    155Кешбэк 23 балла
    VS-10ETS08-M3Диод: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC
    448Кешбэк 67 баллов
    VS-15TQ060STRR-M3DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
    258Кешбэк 38 баллов
    1N5397GP-E3/54DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    134Кешбэк 20 баллов
    VS-8TQ100STRR-M3DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
    289Кешбэк 43 балла
    UF4002-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    33.6Кешбэк 5 баллов
    SS2P3-M3/84AДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO220AA
    45Кешбэк 6 баллов
    VS-30WQ04FNTRL-M3Диод: DIODE SCHOTTKY DPAK
    149Кешбэк 22 балла
    VS-1EFH02-M3/IDIODE GEN PURP 200V 1A SMF
    71Кешбэк 10 баллов
    VS-10TQ035S-M3DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
    332Кешбэк 49 баллов
    RGP15B-E3/54DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
    131Кешбэк 19 баллов
    VFT2045BP-M3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 20A ITO220AC
    226Кешбэк 33 балла
    1N5062GP-E3/54DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
    86Кешбэк 12 баллов
    RS1GHE3_A/HDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    65Кешбэк 9 баллов
    ES1BHE3_A/HDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    71Кешбэк 10 баллов
    GP15B-E3/54DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
    123Кешбэк 18 баллов
    BAS16WS-G3-08Транзистор: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    33.6Кешбэк 5 баллов
    SS15-E3/5ATDIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC
    90Кешбэк 13 баллов
    ES1BHE3_A/IDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    78Кешбэк 11 баллов
    VS-3EGU06-M3/5BTDIODE GEN PURP 600V 3A SMB
    131Кешбэк 19 баллов
    BAV20W-E3-18DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123
    30Кешбэк 4 балла
    1N5398GP-E3/54DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
    134Кешбэк 20 баллов
    SD101BW-E3-18DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123
    39Кешбэк 5 баллов
    RGP10G-E3/54DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    106Кешбэк 15 баллов
    VS-20L15TS-M3Диод: DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO263
    360Кешбэк 54 балла
    VSSA3L6S-M3/61TDIODE SCHOTTKY 60V 2.5A DO214AC
    84Кешбэк 12 баллов
    RS07D-M-08DIODE GP 200V 500MA DO219AB
    52Кешбэк 7 баллов
    VS-MBRD340TR-M3DIODE SCHOTTKY 3A 40V DPAK
    172Кешбэк 25 баллов
    BYM07-300-E3/98DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213
    101Кешбэк 15 баллов
    SD101AWS-G3-18DIODE SCHOTTKY 150MW 60V SOD323
    45Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП