Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BAS20-HE3-18
  • В избранное
  • В сравнение
BAS20-HE3-18

BAS20-HE3-18

BAS20-HE3-18
;
BAS20-HE3-18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BAS20-HE3-18
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена BAS20-HE3-18 при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS20-HE3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS20-HE3-18

BAS20-HE3-18 Vishay Semiconductors DIODE

  • Назначение: Общего назначения
  • Номинальное напряжение: 150В
  • Номинальный ток: 200mA
  • Пакет: SOT23

Плюсы:

  • Малый размер (пакет SOT23)
  • Высокая надежность
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Легкость интеграции в различные электронные устройства

Минусы:

  • Не подходит для высокоточных приложений из-за нелинейности характеристики
  • Меньшая теплопроводность по сравнению с более крупными диодами

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения
  • Распределение нагрузки
  • Конвертация напряжений

Применяется в:

  • Смартфонах и других мобильных устройствах
  • Телевизорах и мониторах
  • Автомобильных системах
  • Электронных зарядных устройствах
  • Иllumination systems (системах освещения)
Выбрано: Показать

Характеристики BAS20-HE3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS20

Техническая документация

 BAS20-HE3-18.pdf
pdf. 0 kb
  • 10238 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 100
    18 ₽
  • 1000
    9.3 ₽
  • 5000
    7 ₽
  • 20000
    5.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    BAS20-HE3-18
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена BAS20-HE3-18 при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS20-HE3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS20-HE3-18

BAS20-HE3-18 Vishay Semiconductors DIODE

  • Назначение: Общего назначения
  • Номинальное напряжение: 150В
  • Номинальный ток: 200mA
  • Пакет: SOT23

Плюсы:

  • Малый размер (пакет SOT23)
  • Высокая надежность
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Легкость интеграции в различные электронные устройства

Минусы:

  • Не подходит для высокоточных приложений из-за нелинейности характеристики
  • Меньшая теплопроводность по сравнению с более крупными диодами

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения
  • Распределение нагрузки
  • Конвертация напряжений

Применяется в:

  • Смартфонах и других мобильных устройствах
  • Телевизорах и мониторах
  • Автомобильных системах
  • Электронных зарядных устройствах
  • Иllumination systems (системах освещения)
Выбрано: Показать

Характеристики BAS20-HE3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS20

Техническая документация

 BAS20-HE3-18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MUR1520GДиод: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220-2
    174Кешбэк 26 баллов
    MURS230T3GDIODE GEN PURP 300V 2A SMB
    174Кешбэк 26 баллов
    MBRD350T4GDIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    RD0506T-TL-H
    178Кешбэк 26 баллов
    SBRS8340T3GDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
    178Кешбэк 26 баллов
    MBR2045MFST1GDIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
    178Кешбэк 26 баллов
    MURS480ET3GДиод: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC
    180Кешбэк 27 баллов
    SB530Диод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 3
    180Кешбэк 27 баллов
    MBRA2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
    182Кешбэк 27 баллов
    MBR30H100MFST1GDIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
    182Кешбэк 27 баллов
    FFP08S60SNTU
    185Кешбэк 27 баллов
    NRVBAF260T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL
    187Кешбэк 28 баллов
    MBRD1045T4GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
    189Кешбэк 28 баллов
    MUR2020RGDIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
    191Кешбэк 28 баллов
    MUR840GDIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
    193Кешбэк 28 баллов
    MUR1540GДиод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 15A,
    197Кешбэк 29 баллов
    MBRM2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
    198Кешбэк 29 баллов
    SBRD81045T4GDIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
    200Кешбэк 30 баллов
    MURHD560W1T4GDIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
    204Кешбэк 30 баллов
    NRVHPD660T4GDIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    SBRD8835LT4GDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
    217Кешбэк 32 балла
    FSV1060VDIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277-3
    227Кешбэк 34 балла
    NRVB10100MFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
    241Кешбэк 36 баллов
    NHPV08S600GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
    241Кешбэк 36 баллов
    NRVTS1045EMFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN
    242Кешбэк 36 баллов
    MUR815GDIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
    246Кешбэк 36 баллов
    FSV20100VDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO277-3
    256Кешбэк 38 баллов
    NRVBAF440T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 4A 40V SMA-FL
    261Кешбэк 39 баллов
    NTST40H120CTG
    265Кешбэк 39 баллов
    MSRF860GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
    269Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП