Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BAS81-GS08
  • В избранное
  • В сравнение
BAS81-GS08

BAS81-GS08

BAS81-GS08
;
BAS81-GS08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BAS81-GS08
  • Описание:
    Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80Все характеристики

Минимальная цена BAS81-GS08 при покупке от 1 шт 34.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS81-GS08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS81-GS08

BAS81-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 40В
  • Номинальный ток: 30мА
  • Форм-фактор: SOD80

Плюсы:

  • Низкий вольт-паразитный ток
  • Высокая скорость перехода
  • Малый размер и легкость в установке
  • Высокий КПД

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Уязвимость к перенапряжению
  • Меньшая надежность по сравнению с диодами традиционного типа

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока
  • Уменьшение шумов в электронных схемах
  • Использование в блоках питания
  • Компенсация разности потенциалов

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства
  • Автомобили
  • Электроприборы
  • Блоки питания
  • Системы управления энергоснабжением
Выбрано: Показать

Характеристики BAS81-GS08

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    40 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    30mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 15 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 40 V
  • Емкость @ Vr, F
    1.6pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Исполнение корпуса
    SOD-80 MiniMELF
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    BAS81

Техническая документация

 BAS81-GS08.pdf
pdf. 0 kb
  • 1843 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    34 ₽
  • 100
    17 ₽
  • 1000
    8.9 ₽
  • 5000
    7.4 ₽
  • 12500
    6.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BAS81-GS08
  • Описание:
    Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80Все характеристики

Минимальная цена BAS81-GS08 при покупке от 1 шт 34.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS81-GS08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS81-GS08

BAS81-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 40В
  • Номинальный ток: 30мА
  • Форм-фактор: SOD80

Плюсы:

  • Низкий вольт-паразитный ток
  • Высокая скорость перехода
  • Малый размер и легкость в установке
  • Высокий КПД

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Уязвимость к перенапряжению
  • Меньшая надежность по сравнению с диодами традиционного типа

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока
  • Уменьшение шумов в электронных схемах
  • Использование в блоках питания
  • Компенсация разности потенциалов

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства
  • Автомобили
  • Электроприборы
  • Блоки питания
  • Системы управления энергоснабжением
Выбрано: Показать

Характеристики BAS81-GS08

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    40 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    30mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 15 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 40 V
  • Емкость @ Vr, F
    1.6pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Исполнение корпуса
    SOD-80 MiniMELF
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    BAS81

Техническая документация

 BAS81-GS08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGP10M-E3/73DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    123Кешбэк 18 баллов
    SA2G-E3/5ATDIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
    52Кешбэк 7 баллов
    BYM10-50-E3/97DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
    79Кешбэк 11 баллов
    1N6483-E3/96Диод: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
    79Кешбэк 11 баллов
    1N4004E-E3/73DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    88Кешбэк 13 баллов
    S1DHE3_A/IDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    46Кешбэк 6 баллов
    1N4249GP-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    109Кешбэк 16 баллов
    BYS10-45-E3/TR3Диод: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
    42Кешбэк 6 баллов
    SS2PH6HM3/84AДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO220AA
    63Кешбэк 9 баллов
    RS1JHE3_A/HDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
    64Кешбэк 9 баллов
    1N4007E-E3/53DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    87Кешбэк 13 баллов
    SS2FL3-M3/HДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB
    68Кешбэк 10 баллов
    1N4246GP-E3/54DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    92Кешбэк 13 баллов
    RS1K-E3/61TДиод: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
    29.5Кешбэк 4 балла
    ES1DHE3_A/HDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    64Кешбэк 9 баллов
    SB2M-M3/5BTDIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
    76Кешбэк 11 баллов
    V3PAL45-M3/IDIODE SCHOTTKY 3A 45V DO-221BC
    120Кешбэк 18 баллов
    SE30AFJHM3/6ADIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
    40.5Кешбэк 6 баллов
    RGP15J-E3/54DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    169Кешбэк 25 баллов
    B360A-E3/5ATDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
    96Кешбэк 14 баллов
    1N4005GP-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    33Кешбэк 4 балла
    S1AFM-M3/6AДиод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
    61Кешбэк 9 баллов
    RGL34J-E3/83DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
    57Кешбэк 8 баллов
    ES1A-M3/61TDIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
    64Кешбэк 9 баллов
    AU1PM-M3/84AДиод: DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO220AA
    85Кешбэк 12 баллов
    VSSAF3L45-M3/6BDIODE SCHOTTKY 3A 45V DO-221AC
    186Кешбэк 27 баллов
    RS1JHE3_A/IDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
    76Кешбэк 11 баллов
    GP10M-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    103Кешбэк 15 баллов
    SE20AFJHM3/6ADIODE GEN PURP 600V 2A DO221AC
    18.4Кешбэк 2 балла
    B340A-M3/5ATDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
    99Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП