Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
BAV21WS R9G
  • В избранное
  • В сравнение
BAV21WS R9G

BAV21WS R9G

BAV21WS R9G
;
BAV21WS R9G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BAV21WS R9G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323Все характеристики

Минимальная цена BAV21WS R9G при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAV21WS R9G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAV21WS R9G

BAV21WS R9G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 — это диод общего назначения с низким напряжением катода, предназначен для широкого спектра приложений.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 250В
    • Номинальный ток: 200мА
    • Тип корпуса: SOD323
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Низкий ток пропускания
    • Неточность при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Диодные мосты
    • Распределение напряжений
  • Применяется в:
    • Электронных устройствах
    • Микросхемах
    • Автомобильной электронике
    • Питательных цепях
Выбрано: Показать

Характеристики BAV21WS R9G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-90, SOD-323F
  • Исполнение корпуса
    SOD-323F
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAV21

Техническая документация

 BAV21WS R9G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2643 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    26 ₽
  • 100
    15 ₽
  • 1000
    9.1 ₽
  • 5000
    7.3 ₽
  • 20000
    4.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BAV21WS R9G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323Все характеристики

Минимальная цена BAV21WS R9G при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAV21WS R9G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAV21WS R9G

BAV21WS R9G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 — это диод общего назначения с низким напряжением катода, предназначен для широкого спектра приложений.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 250В
    • Номинальный ток: 200мА
    • Тип корпуса: SOD323
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Низкий ток пропускания
    • Неточность при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Диодные мосты
    • Распределение напряжений
  • Применяется в:
    • Электронных устройствах
    • Микросхемах
    • Автомобильной электронике
    • Питательных цепях
Выбрано: Показать

Характеристики BAV21WS R9G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-90, SOD-323F
  • Исполнение корпуса
    SOD-323F
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAV21

Техническая документация

 BAV21WS R9G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS115-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A DO214AC S
    70Кешбэк 10 баллов
    RGP30KДиод: DIODE FR DO-201 800V 3A
    76Кешбэк 11 баллов
    1N1185ADO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 757Кешбэк 413 баллов
    C6D08065EДиод: GEN 6 650V 8 A SBD
    847Кешбэк 127 баллов
    S4D04120EDIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
    259Кешбэк 38 баллов
    1SS355VMFHTE-17HIGH SPEED SWITCHING DIODE, HIGH
    53Кешбэк 7 баллов
    SCS220AEGC11650V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CA
    1 834Кешбэк 275 баллов
    SR34_R1_00001SMB, SKY
    59Кешбэк 8 баллов
    1N4936GP-TPДиод: DIODE GPP FAST 1A DO-41
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BAS3005B02VH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2
    37.6Кешбэк 5 баллов
    BY397Диод: DIODE FR DO-201 200V 3A
    64Кешбэк 9 баллов
    BAS16-HFDIODE SWITCHING SINGLE 100V 150M
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAV19WDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП