BAW156HYFHT116

BAW156HYFHT116 Rohm Semiconductor Транзистор:

• LOW-LEAKAGE: Низкий ток утечки.
• 80V: Рейтинг напряжения.
• 215mA: Максимальный ток при прохождении.
• SOT-23: Форм-фактор.

Основные параметры:

• Низкая утечка тока обеспечивает более эффективное использование энергии.
• Высокий рейтинг напряжения (80В) позволяет использовать транзистор в различных приложениях с различными напряжениями.
• Максимальный ток при прохождении 215 мА указывает на максимальную нагрузку, которую транзистор может выдерживать.
• Форм-фактор SOT-23 позволяет легко интегрировать транзистор в различные электронные устройства.

Плюсы:

• Низкий ток утечки повышает эффективность работы устройства.
• Высокая надежность благодаря высокому рейтингу напряжения.
• Малый размер за счет форм-фактора SOT-23.

Минусы:

• Транзистор предназначен для использования с небольшими токами (215 мА).
• Необходимо учитывать температурный диапазон при использовании.

Общее назначение:

• Управление током в различных электронных устройствах.
• Изоляция сигналов.
• Увеличение мощности сигнала.

Применяется в:

• Системах управления.
• Драйверах для моторов.
• Блоках питания.
• Коммутирующих устройствах.