BB502MBS-TL-E

BB502MBS-TL-E Renesas Electronics Corporation Транзистор: RF N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
• V_GS(th): 1.4 V (трансistor threshold voltage)
• I_D(on): 1.2 A (on-state drain current)
• R_DS(on): 1.3 mΩ (on-state resistance at V_GS = 10 V)
• Q_g: 19 nC (gate charge)
• T_th(j-case): 175°C/W (case thermal resistance)
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения благодаря низкому временам отклика
• Низкий ток утечки при отключенном канале
• Высокий коэффициент передачи (high transconductance)
• Компактный размер и легкость интеграции в радиочастотные системы
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
• Требуют дополнительного питания для заряда и разряда гейта
• Общее назначение:
• Использование в радиочастотных системах и радиоузлах
• Работа в высокочастотных режимах
• Сигнальная обработка и усиление
• В каких устройствах применяется:
• Мобильные телефоны и другие мобильные устройства
• Радиоприемники и трансляторы
• Автомобильные системы связи
• Промышленное оборудование с радиочастотным управлением