Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
BCX38CSTZ
  • В избранное
  • В сравнение
BCX38CSTZ

BCX38CSTZ

BCX38CSTZ
;
BCX38CSTZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BCX38CSTZ
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 60V 0.8A E-LINEВсе характеристики

Минимальная цена BCX38CSTZ при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCX38CSTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BCX38CSTZ

BCX38CSTZ Diodes Incorporated TRANS NPN DARL 60V 0.8A E-LINE

  • Основные параметры:
    • Транзистор NPN типа Darlington
    • Рабочее напряжение: 60В
    • Максимальный ток: 0,8А
    • Код E-LINE
  • Плюсы:
    • Высокая усиленная мощность
    • Низкое входное сопротивление
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Надежность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокий уровень шума из-за структуры Darlington
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Регулировка уровня сигнала
    • Изменение отношения нагрузки к источнику
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы звукового оборудования
    • Автомобильные электронные системы
    • Производство бытовой техники
    • Медицинское оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BCX38CSTZ

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    800 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.25V @ 8mA, 800mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10000 @ 500mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    E-Line-3
  • Исполнение корпуса
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Base Product Number
    BCX38

Техническая документация

 BCX38CSTZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 4000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    226 ₽
  • 10
    142 ₽
  • 500
    73 ₽
  • 2000
    46.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BCX38CSTZ
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 60V 0.8A E-LINEВсе характеристики

Минимальная цена BCX38CSTZ при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCX38CSTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BCX38CSTZ

BCX38CSTZ Diodes Incorporated TRANS NPN DARL 60V 0.8A E-LINE

  • Основные параметры:
    • Транзистор NPN типа Darlington
    • Рабочее напряжение: 60В
    • Максимальный ток: 0,8А
    • Код E-LINE
  • Плюсы:
    • Высокая усиленная мощность
    • Низкое входное сопротивление
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Надежность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокий уровень шума из-за структуры Darlington
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Регулировка уровня сигнала
    • Изменение отношения нагрузки к источнику
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы звукового оборудования
    • Автомобильные электронные системы
    • Производство бытовой техники
    • Медицинское оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BCX38CSTZ

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    800 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.25V @ 8mA, 800mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10000 @ 500mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    E-Line-3
  • Исполнение корпуса
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Base Product Number
    BCX38

Техническая документация

 BCX38CSTZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TIP32CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    164Кешбэк 24 балла
    2SB1204S-TL-ETRANS PNP 50V 8A TPFA
    165Кешбэк 24 балла
    TIP127GТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220
    165Кешбэк 24 балла
    MJD50T4GTRANS NPN 400V 1A DPAK
    166Кешбэк 24 балла
    MJD210GTRANS PNP 25V 5A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    MJD122GTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
    177Кешбэк 26 баллов
    TIP122GТранзистор: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220
    179Кешбэк 26 баллов
    BD237GТранзистор: TRANS NPN 80V 2A TO126
    181Кешбэк 27 баллов
    2N6109GTRANS PNP 50V 7A TO220
    185Кешбэк 27 баллов
    12A02MH-TL-ETRANS PNP 12V 1A 3MCPH
    187Кешбэк 28 баллов
    D45VH10GТранзистор: TRANS PNP 80V 15A TO220
    190Кешбэк 28 баллов
    MJE171TRANS PNP 60V 3A TO126
    194Кешбэк 29 баллов
    D45H8GTRANS PNP 60V 10A TO220
    197Кешбэк 29 баллов
    MJD45H11T4GТранзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAK
    198Кешбэк 29 баллов
    MJD44H11T4GТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    BD242CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    200Кешбэк 30 баллов
    MJD340GТранзистор: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    MJE172GТранзистор: TRANS PNP 80V 3A TO126
    204Кешбэк 30 баллов
    BD137GTRANS NPN 60V 1.5A TO126
    209Кешбэк 31 балл
    MJD127T4GTRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    MJE350GTRANS PNP 300V 0.5A TO126
    215Кешбэк 32 балла
    BD13716STUТранзистор: TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3
    215Кешбэк 32 балла
    BD440STRANS PNP 60V 4A TO126-3
    220Кешбэк 33 балла
    2N6111GTRANS PNP 30V 7A TO220
    222Кешбэк 33 балла
    TIP31BGTRANS NPN 80V 3A TO220
    226Кешбэк 33 балла
    BD442GTRANS PNP 80V 4A TO126
    226Кешбэк 33 балла
    TIP29CGТранзистор: TRANS NPN 100V 1A TO220
    228Кешбэк 34 балла
    TIP32AGТранзистор: TRANS PNP 60V 3A TO220
    231Кешбэк 34 балла
    2N4923GTRANS NPN 80V 1A TO126
    232Кешбэк 34 балла
    MJD31CGTRANS NPN 100V 3A DPAK
    234Кешбэк 35 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП