Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
BD682
  • В избранное
  • В сравнение
BD682

BD682

BD682
;
BD682

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    BD682
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 4A TO126Все характеристики

Минимальная цена BD682 при покупке от 1 шт 215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BD682 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BD682

BD682 STMicroelectronics TRANS PNP DARL 100V 4A TO126

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VCEO): 100В
    • Ток срабатывания (IC): 4А
    • Тип: PNP Darlington
    • Пакет: TO126
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания (100В)
    • Высокий ток срабатывания (4А)
    • Дарлингтон структура для увеличения коэффициента усиления
    • Малый размер и легкость установки в TO126 корпусе
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе при больших токах
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых цепях
    • Регулировка напряжений и токов
    • Применение в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах электропитания
    • Промышленных преобразователях напряжения
    • Электронных блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики BD682

  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    4 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    2.5V @ 30mA, 1.5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    750 @ 1.5A, 3V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-32-3
  • Base Product Number
    BD682

Техническая документация

 BD682.pdf
pdf. 0 kb
  • 757 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    215 ₽
  • 5
    166 ₽
  • 25
    119 ₽
  • 100
    88 ₽
  • 1000
    57 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    BD682
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 4A TO126Все характеристики

Минимальная цена BD682 при покупке от 1 шт 215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BD682 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BD682

BD682 STMicroelectronics TRANS PNP DARL 100V 4A TO126

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VCEO): 100В
    • Ток срабатывания (IC): 4А
    • Тип: PNP Darlington
    • Пакет: TO126
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания (100В)
    • Высокий ток срабатывания (4А)
    • Дарлингтон структура для увеличения коэффициента усиления
    • Малый размер и легкость установки в TO126 корпусе
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе при больших токах
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых цепях
    • Регулировка напряжений и токов
    • Применение в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах электропитания
    • Промышленных преобразователях напряжения
    • Электронных блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики BD682

  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    4 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    2.5V @ 30mA, 1.5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    750 @ 1.5A, 3V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-32-3
  • Base Product Number
    BD682

Техническая документация

 BD682.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJL4281AGTRANS NPN 350V 15A TO264
    1 315Кешбэк 197 баллов
    TIP147TТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 10A TO220
    148Кешбэк 22 балла
    2DD1664Q-13TRANS NPN 32V 1A SOT89-3
    119Кешбэк 17 баллов
    TIP111GTRANS NPN DARL 80V 2A TO220
    269Кешбэк 40 баллов
    2N5878PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
    2 490Кешбэк 373 балла
    2N3439UATRANS NPN 350V 1A
    9 226Кешбэк 1 383 балла
    MJD44H11GТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    255Кешбэк 38 баллов
    MJD45H11-1GTRANS PNP 80V 8A IPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    JAN2N2222AUBТранзистор: TRANS NPN 50V 0.8A UB
    1 866Кешбэк 279 баллов
    BUL416TRANS NPN 800V 6A TO220
    1 112Кешбэк 166 баллов
    PHPT60606PYXTRANS PNP 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
    176Кешбэк 26 баллов
    BSR14,215TRANS NPN 40V 0.8A TO236AB
    83Кешбэк 12 баллов
    TIP31AGТранзистор: TRANS NPN 60V 3A TO220
    255Кешбэк 38 баллов
    2N3773GТранзистор: TRANS NPN 140V 16A TO204
    1 213Кешбэк 181 балл
    MJL21193GTRANS PNP 250V 16A TO264
    1 099Кешбэк 164 балла
    2SD2211T100QTRANS NPN 160V 1.5A MPT3
    233Кешбэк 34 балла
    PBSS301NX,115TRANS NPN 12V 5.3A SOT89
    207Кешбэк 31 балл
    BD242CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    200Кешбэк 30 баллов
    FJP13007H2TUTRANS NPN 400V 8A TO220-3
    365Кешбэк 54 балла
    2SD2537T100VTRANS NPN 25V 1.2A MPT3
    230Кешбэк 34 балла
    MJW21193TRANS PNP 250V 16A TO247-3
    2 144Кешбэк 321 балл
    2PA1774S,115TRANS PNP 50V 0.15A SC75
    10.8Кешбэк 1 балл
    PZTA92,115TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
    150Кешбэк 22 балла
    BSP43,115TRANS NPN 80V 1A SOT223
    146Кешбэк 21 балл
    FJP13009H2TUTRANS NPN 400V 12A TO220-3
    400Кешбэк 60 баллов
    JANTX2N3868TRANS PNP 60V 0.003A TO5
    4 650Кешбэк 697 баллов
    2N3019STRANS NPN 80V 1A TO39
    3 792Кешбэк 568 баллов
    MPS6515TRANS NPN 25V 0.2A TO92-3
    26Кешбэк 3 балла
    BC849B-TPTRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MJ11022GTRANS NPN DARL 250V 15A TO204
    1 838Кешбэк 275 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП