Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFR182WH6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1
;
BFR182WH6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BFR182WH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3Все характеристики

Минимальная цена BFR182WH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 24.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFR182WH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies — это транзистор NPN с напряжением collector-emitter (VCEO) до 12В и частотой до 8ГГц. Он предназначен для применения в радиочастотных (RF) устройствах.

  • Основные параметры:
    • VCEO: 12В
    • fT: 8ГГц
    • Package: SOT323-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость срабатывания (fT) для радиочастотных приложений
    • Устойчивость к высоким напряжениям (VCEO)
    • Малый размер корпуса (SOT323-3)
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует специализированного оборудования для установки из-за малого размера корпуса
  • Общее назначение:
    • Радиочастотное усиление и селекция
    • Коммуникационные устройства (например, мобильные телефоны)
    • Системы беспроводной связи
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Беспроводных системах управления
    • Радиостанциях и трансиверов
Выбрано: Показать

Характеристики BFR182WH6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    8GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Усиление
    19dB
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    35mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT323
  • Base Product Number
    BFR182

Техническая документация

 BFR182WH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 105106 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    24 ₽
  • 25
    14.5 ₽
  • 250
    11.2 ₽
  • 1000
    10 ₽
  • 6000
    9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BFR182WH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3Все характеристики

Минимальная цена BFR182WH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 24.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFR182WH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies — это транзистор NPN с напряжением collector-emitter (VCEO) до 12В и частотой до 8ГГц. Он предназначен для применения в радиочастотных (RF) устройствах.

  • Основные параметры:
    • VCEO: 12В
    • fT: 8ГГц
    • Package: SOT323-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость срабатывания (fT) для радиочастотных приложений
    • Устойчивость к высоким напряжениям (VCEO)
    • Малый размер корпуса (SOT323-3)
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует специализированного оборудования для установки из-за малого размера корпуса
  • Общее назначение:
    • Радиочастотное усиление и селекция
    • Коммуникационные устройства (например, мобильные телефоны)
    • Системы беспроводной связи
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Беспроводных системах управления
    • Радиостанциях и трансиверов
Выбрано: Показать

Характеристики BFR182WH6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    8GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Усиление
    19dB
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    35mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT323
  • Base Product Number
    BFR182

Техническая документация

 BFR182WH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFG505/X,215Транзистор: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
    48Кешбэк 7 баллов
    BFU768F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
    146Кешбэк 21 балл
    BFU610F,115Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
    130Кешбэк 19 баллов
    BFU710F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
    130Кешбэк 19 баллов
    BFU520XVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    124Кешбэк 18 баллов
    BFU520WXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    82Кешбэк 12 баллов
    BFU520XRRТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
    63Кешбэк 9 баллов
    BFG425W,115Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
    296Кешбэк 44 балла
    BFU530RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    174Кешбэк 26 баллов
    BFM520,115Транзистор: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP
    438Кешбэк 65 баллов
    BFU520WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    130Кешбэк 19 баллов
    BFU520RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    85Кешбэк 12 баллов
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    18.5Кешбэк 2 балла
    SS9018GBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    9.3Кешбэк 1 балл
    SS9018FBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    7.4Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    28Кешбэк 4 балла
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    14.8Кешбэк 2 балла
    2N3663Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    NE68119-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE662M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
    371Кешбэк 55 баллов
    NE85619-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE68819-T1-AТранзистор: TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
    148Кешбэк 22 балла
    NE68519-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE85630-T1-R24-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
    333Кешбэк 49 баллов
    NE68133-T1B-R34-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE85634-T1-RE-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП