Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU530AVL
  • В избранное
  • В сравнение
BFU530AVL

BFU530AVL

BFU530AVL
;
BFU530AVL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BFU530AVL
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена BFU530AVL при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530AVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530AVL

BFU530AVL NXP USA Inc. Транзистор: RF TRANS NPN 12В 11ГГц TO236AB

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 12В
    • Частота работы: до 11ГГц
    • Пакет: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая скорость срабатывания
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая мощность
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов с более низкими частотами
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в радиосистемах
    • Амплитудная и частотная модуляция сигналов
    • Каскадирование для повышения выходной мощности
  • Применение:
    • Радиостанции и системы связи
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные радиостанции
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530AVL

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1.8GHz
  • Усиление
    12dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23 (TO-236AB)
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530AVL.pdf
pdf. 0 kb
  • 825 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 25
    36.6 ₽
  • 250
    29 ₽
  • 10000
    23.7 ₽
  • 30000
    23 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BFU530AVL
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена BFU530AVL при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530AVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530AVL

BFU530AVL NXP USA Inc. Транзистор: RF TRANS NPN 12В 11ГГц TO236AB

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 12В
    • Частота работы: до 11ГГц
    • Пакет: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая скорость срабатывания
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая мощность
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов с более низкими частотами
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в радиосистемах
    • Амплитудная и частотная модуляция сигналов
    • Каскадирование для повышения выходной мощности
  • Применение:
    • Радиостанции и системы связи
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные радиостанции
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530AVL

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1.8GHz
  • Усиление
    12dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23 (TO-236AB)
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530AVL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFG425W,115Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
    296Кешбэк 44 балла
    BFU550WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
    95Кешбэк 14 баллов
    BFP405FH6327XTSA1Транзистор: TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4
    65Кешбэк 9 баллов
    BFU530RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    2N5770Транзистор: RF TRANS NPN 15V TO92-3
    89Кешбэк 13 баллов
    MRF448Транзистор: RF TRANS NPN 50V 211-11
    42 443Кешбэк 6 366 баллов
    MRF555TТранзистор: RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
    1 414Кешбэк 212 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    174Кешбэк 26 баллов
    2SC5347AE-TD-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
    185Кешбэк 27 баллов
    MRF314Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-07
    10 595Кешбэк 1 589 баллов
    MRF429Транзистор: TRANS RF NPN 50V 16A 211-11
    20 516Кешбэк 3 077 баллов
    BFM520,115Транзистор: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP
    438Кешбэк 65 баллов
    2SC4713KT146RТранзистор: RF TRANS NPN 6V 800MHZ SMT3
    43Кешбэк 6 баллов
    MAX2601ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    1 877Кешбэк 281 балл
    MAX2602ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    2 027Кешбэк 304 балла
    MRF393Транзистор: RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01
    29 070Кешбэк 4 360 баллов
    MRF1090MBТранзистор: RF TRANS NPN 70V 332A-03
    14 458Кешбэк 2 168 баллов
    MRF421Транзистор: TRANS RF NPN 20V 20A 211-11
    30 662Кешбэк 4 599 баллов
    BFP720H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
    86Кешбэк 12 баллов
    BFU520WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    130Кешбэк 19 баллов
    HFA3128BZТранзистор: RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC
    399Кешбэк 59 баллов
    BFU580QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
    182Кешбэк 27 баллов
    2SC2714-Y(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
    67Кешбэк 10 баллов
    BFU520AVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    MRF313Транзистор: TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01
    7 062Кешбэк 1 059 баллов
    MRF454Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-11
    15 171Кешбэк 2 275 баллов
    MRF317Транзистор: TRANS RF NPN 35V 12A 316-01
    26 651Кешбэк 3 997 баллов
    MRF422Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-11
    25 719Кешбэк 3 857 баллов
    BFP540FESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
    82Кешбэк 12 баллов
    PBR951,215Транзистор: RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB
    56Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП