Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU610F,115
  • В избранное
  • В сравнение
BFU610F,115

BFU610F,115

BFU610F,115
;
BFU610F,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU610F,115
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFPВсе характеристики

Минимальная цена BFU610F,115 при покупке от 1 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU610F,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU610F,115

BFU610F, 115 NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 15GHz 4DFP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 5.5 В
    • Частота работы: до 15 ГГц
    • Количество дренажных каналов: 4
    • Тип: NPN (обратный)
    • Форм-фактор: 4DFP
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к излучению
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы и охлаждению
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов
  • Общее назначение:
    • Радиочастотные приложения
    • Мобильные устройства
    • Системы связи
    • Инженерное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные сети
    • Радиолокационные системы
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU610F,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.5V
  • Трансформация частоты
    15GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
  • Усиление
    13.5dB ~ 23.5dB
  • Рассеивание мощности
    136mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    90 @ 1mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-343F
  • Исполнение корпуса
    4-DFP
  • Base Product Number
    BFU610

Техническая документация

 BFU610F,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 3945 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    130 ₽
  • 100
    68 ₽
  • 1000
    51 ₽
  • 6000
    41 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU610F,115
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFPВсе характеристики

Минимальная цена BFU610F,115 при покупке от 1 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU610F,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU610F,115

BFU610F, 115 NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 15GHz 4DFP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 5.5 В
    • Частота работы: до 15 ГГц
    • Количество дренажных каналов: 4
    • Тип: NPN (обратный)
    • Форм-фактор: 4DFP
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к излучению
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы и охлаждению
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов
  • Общее назначение:
    • Радиочастотные приложения
    • Мобильные устройства
    • Системы связи
    • Инженерное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Беспроводные сети
    • Радиолокационные системы
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU610F,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.5V
  • Трансформация частоты
    15GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
  • Усиление
    13.5dB ~ 23.5dB
  • Рассеивание мощности
    136mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    90 @ 1mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-343F
  • Исполнение корпуса
    4-DFP
  • Base Product Number
    BFU610

Техническая документация

 BFU610F,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NE68133-T1B-R34-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68139-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68030-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68033-T1B-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68018-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE66219-T1-AТранзистор
    445Кешбэк 66 баллов
    NE68518-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68118-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE663M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F
    445Кешбэк 66 баллов
    NE68730-T1Транзистор
    113Кешбэк 16 баллов
    NE85619-T1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
    133Кешбэк 19 баллов
    MRF314Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-07
    10 595Кешбэк 1 589 баллов
    MRF393Транзистор: RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01
    29 070Кешбэк 4 360 баллов
    MRF454Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-11
    15 171Кешбэк 2 275 баллов
    MRF422Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-11
    25 719Кешбэк 3 857 баллов
    MRF428Транзистор: RF TRANS NPN 55V 211-11
    33 720Кешбэк 5 058 баллов
    MRF455Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-07
    15 598Кешбэк 2 339 баллов
    HFA3096B96Транзистор: ULTRA HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
    463Кешбэк 69 баллов
    BFR360FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BGR405H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V SOT343-4
    48Кешбэк 7 баллов
    BFP520FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP
    70Кешбэк 10 баллов
    BFP182RE7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4
    28Кешбэк 4 балла
    BFP650H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4
    76Кешбэк 11 баллов
    BFP420E6327Транзистор: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
    35Кешбэк 5 баллов
    BFR182WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    24Кешбэк 3 балла
    BFP193WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BFR181WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    24Кешбэк 3 балла
    BFP450H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4
    96Кешбэк 14 баллов
    BFP640H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4
    76Кешбэк 11 баллов
    BFP196WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП