Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU630F,115
  • В избранное
  • В сравнение
BFU630F,115

BFU630F,115

BFU630F,115
;
BFU630F,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BFU630F,115
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFPВсе характеристики

Минимальная цена BFU630F,115 при покупке от 1 шт 220.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU630F,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU630F,115

Основные параметры: Транзистор NPN, напряжение коллектор-эмиттер Vceo = 5.5V, частота работы до 21GHz, корпус 4DFP.

Плюсы: Высокая частота, низкое напряжение питания, компактный корпус, подходит для высокочастотных приложений.

Минусы: Ограниченное напряжение питания, может быть чувствителен к статическому электричеству.

Общее назначение: Высокочастотный усилитель или переключатель.

Применяется в: Радиочастотных усилителях, малошумящих усилителях (LNA), смесителях, генераторах, беспроводных коммуникационных системах, мобильных телефонах, спутниковом оборудовании, радиолокационных системах.

Выбрано: Показать

Характеристики BFU630F,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.5V
  • Трансформация частоты
    21GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
  • Усиление
    13dB ~ 22.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    90 @ 5mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-343F
  • Исполнение корпуса
    4-DFP
  • Base Product Number
    BFU630

Техническая документация

 BFU630F,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 2105 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    220 ₽
  • 10
    138 ₽
  • 500
    70 ₽
  • 3000
    56 ₽
  • 9000
    49 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BFU630F,115
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFPВсе характеристики

Минимальная цена BFU630F,115 при покупке от 1 шт 220.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU630F,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU630F,115

Основные параметры: Транзистор NPN, напряжение коллектор-эмиттер Vceo = 5.5V, частота работы до 21GHz, корпус 4DFP.

Плюсы: Высокая частота, низкое напряжение питания, компактный корпус, подходит для высокочастотных приложений.

Минусы: Ограниченное напряжение питания, может быть чувствителен к статическому электричеству.

Общее назначение: Высокочастотный усилитель или переключатель.

Применяется в: Радиочастотных усилителях, малошумящих усилителях (LNA), смесителях, генераторах, беспроводных коммуникационных системах, мобильных телефонах, спутниковом оборудовании, радиолокационных системах.

Выбрано: Показать

Характеристики BFU630F,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    5.5V
  • Трансформация частоты
    21GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
  • Усиление
    13dB ~ 22.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    90 @ 5mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-343F
  • Исполнение корпуса
    4-DFP
  • Base Product Number
    BFU630

Техническая документация

 BFU630F,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    14.8Кешбэк 2 балла
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    28Кешбэк 4 балла
    NE68730-T1Транзистор
    113Кешбэк 16 баллов
    NE85619-T1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
    133Кешбэк 19 баллов
    NE68119-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE85619-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE68819-T1-AТранзистор: TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
    148Кешбэк 22 балла
    NE68519-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE85630-T1-R24-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
    333Кешбэк 49 баллов
    NE85633-T1B-R25-AТранзистор: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
    333Кешбэк 49 баллов
    NE85633-T1B-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
    333Кешбэк 49 баллов
    NE662M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68133-T1B-R34-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE85634-T1-RE-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68139-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68030-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68033-T1B-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68018-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68518-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68118-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE66219-T1-AТранзистор
    445Кешбэк 66 баллов
    NE663M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F
    445Кешбэк 66 баллов
    MRF314Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-07
    10 595Кешбэк 1 589 баллов
    MRF454Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-11
    15 171Кешбэк 2 275 баллов
    MRF455Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-07
    15 598Кешбэк 2 339 баллов
    MRF422Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-11
    25 719Кешбэк 3 857 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП