Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLA9G1011L-300U
  • В избранное
  • В сравнение
BLA9G1011L-300U

BLA9G1011L-300U

BLA9G1011L-300U
;
BLA9G1011L-300U

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLA9G1011L-300U
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLA9G1011L-300U при покупке от 1 шт 35736.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLA9G1011L-300U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLA9G1011L-300U

BLA9G1011L-300U Ampleon USA Inc. Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 32В
    • Тип: RF MOSFET LDMOS
    • Форм-фактор: SOT502A
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Компактный размер благодаря использованию форм-фактора SOT502A
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точного управления для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов в радиосвязи и радиоэлектронных устройствах
    • Использование в передающих устройствах для повышения выходной мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Сотовые базовые станции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Автомобильные радары и системы навигации
Выбрано: Показать

Характеристики BLA9G1011L-300U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    21.8dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    4.2µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    317W
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLA9

Техническая документация

 BLA9G1011L-300U.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 736 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLA9G1011L-300U
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLA9G1011L-300U при покупке от 1 шт 35736.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLA9G1011L-300U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLA9G1011L-300U

BLA9G1011L-300U Ampleon USA Inc. Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 32В
    • Тип: RF MOSFET LDMOS
    • Форм-фактор: SOT502A
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Компактный размер благодаря использованию форм-фактора SOT502A
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точного управления для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов в радиосвязи и радиоэлектронных устройствах
    • Использование в передающих устройствах для повышения выходной мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Сотовые базовые станции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Автомобильные радары и системы навигации
Выбрано: Показать

Характеристики BLA9G1011L-300U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    21.8dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    4.2µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    317W
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLA9

Техническая документация

 BLA9G1011L-300U.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    46 739Кешбэк 7 010 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    47 730Кешбэк 7 159 баллов
    BLF189XRBSUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    49 029Кешбэк 7 354 балла
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    49 729Кешбэк 7 459 баллов
    ART2K0FEUТранзистор: ART2K0FE/SOT539/TRAY
    50 457Кешбэк 7 568 баллов
    ART2K0FESUТранзистор: ART2K0FES/SOT539/TRAY
    50 457Кешбэк 7 568 баллов
    BLS7G2325L-105,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
    50 674Кешбэк 7 601 балл
    BLL9G1214L-600UТранзистор: BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
    54 463Кешбэк 8 169 баллов
    BLL9G1214LS-600UТранзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
    54 463Кешбэк 8 169 баллов
    BLA9H0912L-250UТранзистор: BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
    54 483Кешбэк 8 172 балла
    BLA9G1011L-300GUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F
    56 445Кешбэк 8 466 баллов
    BLS9G3135LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    56 932Кешбэк 8 539 баллов
    BLA9H0912LS-700GUТранзистор: BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
    58 980Кешбэк 8 847 баллов
    BLF189XRAUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    59 056Кешбэк 8 858 баллов
    BLF189XRASUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    59 167Кешбэк 8 875 баллов
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    62 592Кешбэк 9 388 баллов
    BLF898UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
    62 592Кешбэк 9 388 баллов
    BLS9G2731L-400Транзистор: RF FET
    66 385Кешбэк 9 957 баллов
    BLS9G2731LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    66 385Кешбэк 9 957 баллов
    BLS9G3135L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    66 979Кешбэк 10 046 баллов
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    67 139Кешбэк 10 070 баллов
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B
    70 125Кешбэк 10 518 баллов
    BLA9H0912L-700UТранзистор: BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
    79 387Кешбэк 11 908 баллов
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    80 343Кешбэк 12 051 балл
    BLF578XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    82 788Кешбэк 12 418 баллов
    BLA8H0910L-500UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
    105 209Кешбэк 15 781 балл
    BLA9H0912L-1200PUТранзистор: BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
    115 823Кешбэк 17 373 балла
    ASC2406HIGH POWER AMPLIFIER
    219 911Кешбэк 32 986 баллов
    ON5233,118Транзистор: ON5233 - RF MOSFET
    113Кешбэк 16 баллов
    NTE221Транзистор: MOSFET N-CH VHF AMP/MIX
    2 223Кешбэк 333 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП