Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLA9G1011L-300U
BLA9G1011L-300U

BLA9G1011L-300U

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLA9G1011L-300U
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLA9G1011L-300U при покупке от 1 шт 36475.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLA9G1011L-300U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLA9G1011L-300U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    21.8dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    4.2µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    317W
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLA9
Техническая документация
 BLA9G1011L-300U.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    36 475 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLA9G1011L-300U
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLA9G1011L-300U при покупке от 1 шт 36475.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLA9G1011L-300U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLA9G1011L-300U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    21.8dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    4.2µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    317W
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLA9
Техническая документация
 BLA9G1011L-300U.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CPH6602-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    43.5Кешбэк 6 баллов
    CPH5822-TL-EPCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    68Кешбэк 10 баллов
    TA9210DPA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V
    8 509Кешбэк 1 276 баллов
    WPGM1517050Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    177 280Кешбэк 26 592 балла
    BLC10G19XS-600AVTZТранзистор: BLC10G19XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
    18 668Кешбэк 2 800 баллов
    IGN1011L1200Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    185 294Кешбэк 27 794 балла
    BLC10G22XS-301AVTZТранзистор: BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP
    9 892Кешбэк 1 483 балла
    UPA571T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    CE3521M4-C2Транзистор: RF FET 4V 20GHZ SOT343
    569Кешбэк 85 баллов
    CGHV31500F1Транзистор: 500W, 50V, 2.7-3.1GHZ GAN HEMT
    220 728Кешбэк 33 109 баллов
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    200Кешбэк 30 баллов
    MWT-PH29FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    5 560Кешбэк 834 балла
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 179Кешбэк 626 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    53 154Кешбэк 7 973 балла
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    68 229Кешбэк 10 234 балла
    CLF1G0035-50HТранзистор: CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
    47 547Кешбэк 7 132 балла
    IGN0912LM500Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    160 967Кешбэк 24 145 баллов
    BLC9G20XS-160AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753
    10 484Кешбэк 1 572 балла
    GTVA107001EC-V1-R0Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET
    242 015Кешбэк 36 302 балла
    MRFX600GSR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    37 391Кешбэк 5 608 баллов
    BLC9H10XS-606AZТранзистор: BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
    19 795Кешбэк 2 969 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    200Кешбэк 30 баллов
    CGH27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 12DFN
    17 431Кешбэк 2 614 баллов
    MTP27N06LТранзистор: NFET T0220 100V 0.07R
    100Кешбэк 15 баллов
    MWT-PH27FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    3 032Кешбэк 454 балла
    C4H27W400AVYТранзистор: C4H27W400AVY/SOT1275/REELD
    29 186Кешбэк 4 377 баллов
    BLP05H6250XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    12 322Кешбэк 1 848 баллов
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 368Кешбэк 655 баллов
    SCH1419-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    22.7Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП