Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLC10G22XS-400AVTY
BLC10G22XS-400AVTY

BLC10G22XS-400AVTY

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC10G22XS-400AVTY
  • Описание:
    Транзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REELВсе характеристики

Минимальная цена BLC10G22XS-400AVTY при покупке от 1 шт 16806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC10G22XS-400AVTY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC10G22XS-400AVTY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-4
  • Исполнение корпуса
    SOT1258-4
  • Base Product Number
    BLC10
Техническая документация
 BLC10G22XS-400AVTY.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 80 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    16 806 ₽
  • 10
    14 033 ₽
  • 25
    13 340 ₽
  • 100
    12 579 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC10G22XS-400AVTY
  • Описание:
    Транзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REELВсе характеристики

Минимальная цена BLC10G22XS-400AVTY при покупке от 1 шт 16806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC10G22XS-400AVTY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC10G22XS-400AVTY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-4
  • Исполнение корпуса
    SOT1258-4
  • Base Product Number
    BLC10
Техническая документация
 BLC10G22XS-400AVTY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    WP2806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 25W
    24 957Кешбэк 3 743 балла
    BLS9G2731LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    66 934Кешбэк 10 040 баллов
    AFV10700HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4
    77 841Кешбэк 11 676 баллов
    CPH3424-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    BLC9H10XS-60PZТранзистор: BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
    9 977Кешбэк 1 496 баллов
    BLP05H6250XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    12 172Кешбэк 1 825 баллов
    CGH27030S-AMP1Транзистор: AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S
    176 791Кешбэк 26 518 баллов
    BLS9G3135LS-115UТранзистор: BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
    19 214Кешбэк 2 882 балла
    CGH25120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
    124 922Кешбэк 18 738 баллов
    CGHV1J070D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    91 650Кешбэк 13 747 баллов
    BLC9H10XS-600AZТранзистор: BLC9H10XS-600A/SOT1250/TRAYDP
    20 950Кешбэк 3 142 балла
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    198Кешбэк 29 баллов
    SCH2822-TL-EТранзистор: PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    13Кешбэк 1 балл
    FDMC0223Транзистор: N-CHANNEL POWER TRENCH SYNCFET
    41Кешбэк 6 баллов
    BLP05H675XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    6 480Кешбэк 972 балла
    CGHV59070FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440224
    149 879Кешбэк 22 481 балл
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    394Кешбэк 59 баллов
    BXL4004-1EXNCH 4.5V DRIVE SERIES
    301Кешбэк 45 баллов
    ART2K0FEUТранзистор: ART2K0FE/SOT539/TRAY
    50 875Кешбэк 7 631 балл
    CGH60015D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    19 661Кешбэк 2 949 баллов
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    47 126Кешбэк 7 068 баллов
    BLF0910H9LS600JТранзистор: BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
    22 950Кешбэк 3 442 балла
    BLP15M9S100ZТранзистор: BLP15M9S100/SOT1482/REELDP
    5 012Кешбэк 751 балл
    VRF151MPТранзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    26 707Кешбэк 4 006 баллов
    MRFX1K80HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S
    71 303Кешбэк 10 695 баллов
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 747Кешбэк 712 баллов
    CGHV60075D5-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    34 314Кешбэк 5 147 баллов
    CPH3338-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    67 399Кешбэк 10 109 баллов
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.7Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП