Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLC10G22XS-400AVTZ
BLC10G22XS-400AVTZ

BLC10G22XS-400AVTZ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC10G22XS-400AVTZ
  • Описание:
    Транзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLC10G22XS-400AVTZ при покупке от 1 шт 14105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC10G22XS-400AVTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC10G22XS-400AVTZ

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-4
  • Исполнение корпуса
    SOT1258-4
  • Base Product Number
    BLC10
Техническая документация
 BLC10G22XS-400AVTZ.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 14 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    14 105 ₽
  • 20
    11 391 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC10G22XS-400AVTZ
  • Описание:
    Транзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLC10G22XS-400AVTZ при покупке от 1 шт 14105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC10G22XS-400AVTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC10G22XS-400AVTZ

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-4
  • Исполнение корпуса
    SOT1258-4
  • Base Product Number
    BLC10
Техническая документация
 BLC10G22XS-400AVTZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    60 714Кешбэк 9 107 баллов
    BLF189XRAUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    60 277Кешбэк 9 041 балл
    2SK515-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    38Кешбэк 5 баллов
    CGHV40200PP-AMP1Транзистор: 1.7-1.9GHZ, AMP W/ CGHV40200PP
    260 826Кешбэк 39 123 балла
    CLF1G0035-50HТранзистор: CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
    47 547Кешбэк 7 132 балла
    GTVA311801FA-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    81 944Кешбэк 12 291 балл
    CPH5822-TL-EPCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    68Кешбэк 10 баллов
    BLC9G10XS-120AZТранзистор: RF LDMOS TRANS 120W SOT1273
    10 663Кешбэк 1 599 баллов
    BLA9H0912LS-700GUТранзистор: BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
    60 200Кешбэк 9 030 баллов
    BLC9G24XS-170AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753
    11 232Кешбэк 1 684 балла
    IGN2729M400R2Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
    162 710Кешбэк 24 406 баллов
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    21 457Кешбэк 3 218 баллов
    GTVA107001EC-V1-R0Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET
    242 015Кешбэк 36 302 балла
    CGH60030D-GP4RF MOSFET HEMT 28V DIE
    31 251Кешбэк 4 687 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 596Кешбэк 389 баллов
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    376Кешбэк 56 баллов
    BLA9H0912L-250UТранзистор: BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
    55 610Кешбэк 8 341 балл
    BLF898UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
    53 154Кешбэк 7 973 балла
    CG2H80060D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    28 416Кешбэк 4 262 балла
    BLC9G21LS-60AVZТранзистор: BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP
    10 179Кешбэк 1 526 баллов
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    399Кешбэк 59 баллов
    TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
    2 596Кешбэк 389 баллов
    A3G26D055N-2400Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ
    60 523Кешбэк 9 078 баллов
    MRF24301HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS NI780H
    20 740Кешбэк 3 111 баллов
    CG2H80015D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    26 536Кешбэк 3 980 баллов
    CLF3H0060S-30UТранзистор: CLF3H0060S-30U/SOT1227/TRAY
    48 549Кешбэк 7 282 балла
    BLM9D1822S-60PBGYBLM9D1822S-60PBG/OMP780/REELDP
    11 060Кешбэк 1 659 баллов
    STB60N06HDT4Транзистор: NFET D2PAK SPCL 60V TR
    236Кешбэк 35 баллов
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    50 758Кешбэк 7 613 баллов
    2N5639RLRAТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    30Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП