Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLC2425M8LS300PZ
BLC2425M8LS300PZ

BLC2425M8LS300PZ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC2425M8LS300PZ
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501Все характеристики

Минимальная цена BLC2425M8LS300PZ при покупке от 3 шт 21647.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC2425M8LS300PZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC2425M8LS300PZ

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    2.45GHz
  • Усиление
    17.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    300W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT1250-1
  • Исполнение корпуса
    SOT1250-1
  • Base Product Number
    BLC2425
Техническая документация
 BLC2425M8LS300PZ.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 79 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 3
    21 647 ₽
  • 60
    19 824 ₽

Минимально и кратно 3 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC2425M8LS300PZ
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501Все характеристики

Минимальная цена BLC2425M8LS300PZ при покупке от 3 шт 21647.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC2425M8LS300PZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC2425M8LS300PZ

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    2.45GHz
  • Усиление
    17.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    300W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT1250-1
  • Исполнение корпуса
    SOT1250-1
  • Base Product Number
    BLC2425
Техническая документация
 BLC2425M8LS300PZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CGHV27060MPТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
    34 429Кешбэк 5 164 балла
    MRF137Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    12 565Кешбэк 1 884 балла
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    826Кешбэк 123 балла
    MRF6P23190HR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    26 994Кешбэк 4 049 баллов
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    75 425Кешбэк 11 313 баллов
    BLF573,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
    34 364Кешбэк 5 154 балла
    AFT27S006NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
    8 839Кешбэк 1 325 баллов
    BLL8H0514L-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    24 414Кешбэк 3 662 балла
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    82 804Кешбэк 12 420 баллов
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    104 768Кешбэк 15 715 баллов
    BLC8G21LS-160AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751
    13 858Кешбэк 2 078 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    23 538Кешбэк 3 530 баллов
    BLF8G24LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    14 984Кешбэк 2 247 баллов
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    211Кешбэк 31 балл
    BLS8G2731LS-400PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
    150 759Кешбэк 22 613 баллов
    BLS6G2735LS-30,112Транзистор
    29 848Кешбэк 4 477 баллов
    MRF6S19100NBR1Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    10 322Кешбэк 1 548 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    BLF8G10LS-300PJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    17 160Кешбэк 2 574 балла
    BLL6G1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A
    62 667Кешбэк 9 400 баллов
    AFT20S015GNR1Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
    19 480Кешбэк 2 922 балла
    BLF7G20LS-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    15 614Кешбэк 2 342 балла
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    195 343Кешбэк 29 301 балл
    PD57018S-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    5 215Кешбэк 782 балла
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    47 236Кешбэк 7 085 баллов
    BLF879P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    45 944Кешбэк 6 891 балл
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    17 383Кешбэк 2 607 баллов
    BLF2425M8LS140UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    23 398Кешбэк 3 509 баллов
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    15 621Кешбэк 2 343 балла
    BLF184XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B
    46 078Кешбэк 6 911 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП