Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLC9G22XS-400AVTZ
BLC9G22XS-400AVTZ

BLC9G22XS-400AVTZ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC9G22XS-400AVTZ
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT1258Все характеристики

Минимальная цена BLC9G22XS-400AVTZ при покупке от 5 шт 13338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC9G22XS-400AVTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC9G22XS-400AVTZ

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    15.3dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    810 mA
  • Мощность передачи
    580W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-4
  • Исполнение корпуса
    SOT1258-4
  • Base Product Number
    BLC9
Техническая документация
 BLC9G22XS-400AVTZ.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 241 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 5
    13 338 ₽

Минимально и кратно 5 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC9G22XS-400AVTZ
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT1258Все характеристики

Минимальная цена BLC9G22XS-400AVTZ при покупке от 5 шт 13338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC9G22XS-400AVTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC9G22XS-400AVTZ

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    15.3dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    810 mA
  • Мощность передачи
    580W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-4
  • Исполнение корпуса
    SOT1258-4
  • Base Product Number
    BLC9
Техническая документация
 BLC9G22XS-400AVTZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
    2 588Кешбэк 388 баллов
    CGHV40200PP-AMP1Транзистор: 1.7-1.9GHZ, AMP W/ CGHV40200PP
    225 203Кешбэк 33 780 баллов
    MRFX1K80GNR5Транзистор: 600MHZ 1.8KW OM1230G-4L
    57 119Кешбэк 8 567 баллов
    SCH1305-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    15Кешбэк 2 балла
    BLA9H0912LS-250GUТранзистор: BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
    47 111Кешбэк 7 066 баллов
    CLF3H0060-30UТранзистор: CLF3H0060-30U/SOT1227/TRAY
    48 387Кешбэк 7 258 баллов
    ASC2406HIGH POWER AMPLIFIER
    223 711Кешбэк 33 556 баллов
    BLM7G1822S-80PBYRF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122
    14 633Кешбэк 2 194 балла
    2SK3617-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    104Кешбэк 15 баллов
    CPH3325-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    32Кешбэк 4 балла
    WPGM0206012Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    94 234Кешбэк 14 135 баллов
    CPH6302-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    109Кешбэк 16 баллов
    BLF984PUТранзистор: BLF984P/SOT1121/TRAY
    32 352Кешбэк 4 852 балла
    MCH3312-EBM-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    26.4Кешбэк 3 балла
    CPH3405-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    28Кешбэк 4 балла
    BLS9G2731L-400Транзистор: RF FET
    67 532Кешбэк 10 129 баллов
    2SK3072-TB-ENCH 4V DRIVE SERIES
    55Кешбэк 8 баллов
    CGH27015FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    24 493Кешбэк 3 673 балла
    GTRA364002FC-V1-R0Транзистор: 400W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    52 413Кешбэк 7 861 балл
    CG2H80045D-GP4Транзистор: 45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B
    39 343Кешбэк 5 901 балл
    SCH2308-TL-EТранзистор: PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES
    34Кешбэк 5 баллов
    BLA9H0912L-700UТранзистор: BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
    80 758Кешбэк 12 113 баллов
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    48 423Кешбэк 7 263 балла
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    2N5639RLRAТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    30Кешбэк 4 балла
    BLP2425M10S250PYТранзистор: BLP2425M10S250P/OMP780/REELDP
    12 379Кешбэк 1 856 баллов
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    68 299Кешбэк 10 244 балла
    MWT-5FТранзистор: GAAS MESFET
    13 157Кешбэк 1 973 балла
    TA9210DPA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V
    8 481Кешбэк 1 272 балла
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    52 976Кешбэк 7 946 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП