Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLM10D3740-35ABZ
  • В избранное
  • В сравнение
BLM10D3740-35ABZ

BLM10D3740-35ABZ

BLM10D3740-35ABZ
;
BLM10D3740-35ABZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM10D3740-35ABZ
  • Описание:
    BLM10D3740-35AB/SOT1462/REELDPВсе характеристики

Минимальная цена BLM10D3740-35ABZ при покупке от 1 шт 6056.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM10D3740-35ABZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM10D3740-35ABZ

BLM10D3740-35ABZ Ampleon USA Inc.

  • Назначение: Усилитель транзисторный.
  • Основные параметры:
    • Входная мощность: до 10 Вт.
    • Выходная мощность: до 3740 Вт.
    • Диапазон частот: от 35 МГц до 350 МГц.
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность.
    • Широкий диапазон частот.
    • Устойчивость к внешним помехам.
    • Эффективное использование энергии.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость.
    • Требует специального обслуживания.
    • Нуждается в охлаждении.
  • Общее назначение: Используется в системах передачи радиоволн, телевидения, радиосвязи и других приложениях, где требуется высокая выходная мощность и широкий диапазон частот.
  • Применение:
    • Радиостанции.
    • Системы спутниковой связи.
    • Беспроводные системы коммуникаций.
    • Телевизионные трансляционные станции.
Выбрано: Показать

Характеристики BLM10D3740-35ABZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    3.7GHz ~ 4GHz
  • Усиление
    34.2dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
  • Тестовый ток
    42 mA
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    20-QFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    20-PQFN (8x8)

Техническая документация

 BLM10D3740-35ABZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 768 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 056 ₽
  • 10
    5 294 ₽
  • 25
    5 029 ₽
  • 100
    4 666 ₽
  • 250
    4 449 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM10D3740-35ABZ
  • Описание:
    BLM10D3740-35AB/SOT1462/REELDPВсе характеристики

Минимальная цена BLM10D3740-35ABZ при покупке от 1 шт 6056.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM10D3740-35ABZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM10D3740-35ABZ

BLM10D3740-35ABZ Ampleon USA Inc.

  • Назначение: Усилитель транзисторный.
  • Основные параметры:
    • Входная мощность: до 10 Вт.
    • Выходная мощность: до 3740 Вт.
    • Диапазон частот: от 35 МГц до 350 МГц.
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность.
    • Широкий диапазон частот.
    • Устойчивость к внешним помехам.
    • Эффективное использование энергии.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость.
    • Требует специального обслуживания.
    • Нуждается в охлаждении.
  • Общее назначение: Используется в системах передачи радиоволн, телевидения, радиосвязи и других приложениях, где требуется высокая выходная мощность и широкий диапазон частот.
  • Применение:
    • Радиостанции.
    • Системы спутниковой связи.
    • Беспроводные системы коммуникаций.
    • Телевизионные трансляционные станции.
Выбрано: Показать

Характеристики BLM10D3740-35ABZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    3.7GHz ~ 4GHz
  • Усиление
    34.2dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
  • Тестовый ток
    42 mA
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    20-QFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    20-PQFN (8x8)

Техническая документация

 BLM10D3740-35ABZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK4087LS-SHPNCH 10V DRIVE SERIES
    589Кешбэк 88 баллов
    2SK4101FS-V-HNCH 10V DRIVE SERIES
    339Кешбэк 50 баллов
    2SK4087LS-MG5NCH 10V DRIVE SERIES
    589Кешбэк 88 баллов
    CLF1G0035-50HТранзистор: CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
    46 583Кешбэк 6 987 баллов
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    80 343Кешбэк 12 051 балл
    BLP15H9S10GZТранзистор: BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
    4 094Кешбэк 614 баллов
    BLP15M9S70GZТранзистор: BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP
    4 813Кешбэк 721 балл
    BLP9G0722-20GZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
    3 663Кешбэк 549 баллов
    BLM9D0910-05AMZBLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP
    3 135Кешбэк 470 баллов
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 708Кешбэк 706 баллов
    BLP15H9S30GZТранзистор: BLP15H9S30G/SOT1483/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    BLM10D3438-35ABZBLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
    4 265Кешбэк 639 баллов
    BLM9D2527-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 036Кешбэк 905 баллов
    BLP15H9S100ZТранзистор: BLP15H9S100/SOT1482/REELDP
    4 971Кешбэк 745 баллов
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    BLM10D3740-35ABZBLM10D3740-35AB/SOT1462/REELDP
    6 056Кешбэк 908 баллов
    BLP15H9S100GZТранзистор: BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP
    4 971Кешбэк 745 баллов
    BLM9D2325-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 036Кешбэк 905 баллов
    BLM9D1822-30BZBLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
    5 397Кешбэк 809 баллов
    BLP0408H9S30ZТранзистор: BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
    6 779Кешбэк 1 016 баллов
    BLP0427M9S20GZТранзистор: BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP
    4 876Кешбэк 731 балл
    B10G3741N55DZТранзистор: IC 28V LDMOS RF SOT1462-1
    6 373Кешбэк 955 баллов
    BLP0427M9S20ZТранзистор: BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
    4 876Кешбэк 731 балл
    BLP9LA25SZТранзистор: BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
    3 363Кешбэк 504 балла
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    46 739Кешбэк 7 010 баллов
    BLP9LA25SGZТранзистор: BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
    3 424Кешбэк 513 баллов
    BLP9H10-30GZТранзистор: BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
    5 328Кешбэк 799 баллов
    ART2K0FEUТранзистор: ART2K0FE/SOT539/TRAY
    50 457Кешбэк 7 568 баллов
    BLA9G1011L-300GUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F
    56 445Кешбэк 8 466 баллов
    BLS7G2325L-105,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
    50 674Кешбэк 7 601 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП