Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLM9D2527-20ABZ
  • В избранное
  • В сравнение
BLM9D2527-20ABZ

BLM9D2527-20ABZ

BLM9D2527-20ABZ
;
BLM9D2527-20ABZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM9D2527-20ABZ
  • Описание:
    RF MOSFET LDMOS SOT1462-1Все характеристики

Минимальная цена BLM9D2527-20ABZ при покупке от 1 шт 6036.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM9D2527-20ABZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM9D2527-20ABZ

BLM9D2527-20ABZ Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS SOT1462-1

  • Основные параметры:
    • Мощность: до 25 Вт
    • Частота: 915 МГц (с возможностью работы в диапазоне от 800 до 2200 МГц)
    • Технология: LDMOS (Легированная двойная мостовая структура)
    • Пакет: SOT1462-1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая мощность при умеренном размере
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота интеграции в существующие системы
  • Минусы:
    • Требует высокого напряжения питания
    • Могут быть проблемы с термическим управлением
  • Общее назначение: Используется для усиления сигналов в радиочастотной технике, особенно в системах спутниковой связи, мобильной связи и радиоастрономии.
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые телефоны и терминалы
    • Мобильные базовые станции
    • Радиотелескопы и астрономические приемники
    • Системы спутниковой навигации и коммуникации
Выбрано: Показать

Характеристики BLM9D2527-20ABZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.5GHz ~ 2.7GHz
  • Мощность передачи
    20W
  • Нормальное напряжение
    28 V
  • Корпус
    20-QFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    20-PQFN (8x8)
  • Base Product Number
    BLM9

Техническая документация

 BLM9D2527-20ABZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 832 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 036 ₽
  • 10
    5 938 ₽
  • 500
    4 178 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM9D2527-20ABZ
  • Описание:
    RF MOSFET LDMOS SOT1462-1Все характеристики

Минимальная цена BLM9D2527-20ABZ при покупке от 1 шт 6036.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM9D2527-20ABZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM9D2527-20ABZ

BLM9D2527-20ABZ Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS SOT1462-1

  • Основные параметры:
    • Мощность: до 25 Вт
    • Частота: 915 МГц (с возможностью работы в диапазоне от 800 до 2200 МГц)
    • Технология: LDMOS (Легированная двойная мостовая структура)
    • Пакет: SOT1462-1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая мощность при умеренном размере
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота интеграции в существующие системы
  • Минусы:
    • Требует высокого напряжения питания
    • Могут быть проблемы с термическим управлением
  • Общее назначение: Используется для усиления сигналов в радиочастотной технике, особенно в системах спутниковой связи, мобильной связи и радиоастрономии.
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые телефоны и терминалы
    • Мобильные базовые станции
    • Радиотелескопы и астрономические приемники
    • Системы спутниковой навигации и коммуникации
Выбрано: Показать

Характеристики BLM9D2527-20ABZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.5GHz ~ 2.7GHz
  • Мощность передачи
    20W
  • Нормальное напряжение
    28 V
  • Корпус
    20-QFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    20-PQFN (8x8)
  • Base Product Number
    BLM9

Техническая документация

 BLM9D2527-20ABZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF1K50HR5Транзистор: HIGH POWER RF TRANSISTOR
    71 219Кешбэк 10 682 балла
    CGHV31500F1Транзистор: 500W, 50V, 2.7-3.1GHZ GAN HEMT
    230 125Кешбэк 34 518 баллов
    MRFX600GSR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    47 106Кешбэк 7 065 баллов
    GTVA311801FA-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    80 283Кешбэк 12 042 балла
    BLA9H0912LS-250UТранзистор: BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
    39 949Кешбэк 5 992 балла
    MRFX1K80HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S
    70 718Кешбэк 10 607 баллов
    BLC9G20LS-160PVZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-1
    11 238Кешбэк 1 685 баллов
    MRFX035HR5Транзистор: TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V
    22 788Кешбэк 3 418 баллов
    BLF578XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    82 788Кешбэк 12 418 баллов
    CGH27030FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    32 023Кешбэк 4 803 балла
    BLS9G2735LS-50UТранзистор: RF MOSFET LDMOS SOT1135B
    16 939Кешбэк 2 540 баллов
    MRF1K50NR5Транзистор: WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
    65 588Кешбэк 9 838 баллов
    PTVA030121EA-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36265-2
    8 880Кешбэк 1 332 балла
    BLC9G21LS-60AVZТранзистор: BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP
    9 973Кешбэк 1 495 баллов
    ART150FEUТранзистор: ART150FE/SOT467/TRAY
    25 517Кешбэк 3 827 баллов
    BLC10G18XS-360AVTZТранзистор: BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD
    14 673Кешбэк 2 200 баллов
    CG2H40120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
    88 491Кешбэк 13 273 балла
    CGH60060D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    30 302Кешбэк 4 545 баллов
    CGHV96130FТранзистор: 100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM
    272 081Кешбэк 40 812 баллов
    GTRA362002FC-V1-R0Транзистор: 200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    39 308Кешбэк 5 896 баллов
    GTRA364002FC-V1-R0Транзистор: 400W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    51 523Кешбэк 7 728 баллов
    CGHV35400F1Транзистор: 400W 50V GAN HEMT, 2.9-3.5GHZ
    286 285Кешбэк 42 942 балла
    MRF13750HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    65 777Кешбэк 9 866 баллов
    BLF898UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
    62 592Кешбэк 9 388 баллов
    BLA9H0912L-700UТранзистор: BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
    79 387Кешбэк 11 908 баллов
    BLU9H0408L-800PUТранзистор: BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY
    39 743Кешбэк 5 961 балл
    WP48007025Транзистор: RF GaN HEMT 48V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 614Кешбэк 2 342 балла
    BLC10G15XS-301AVTZТранзистор: BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP
    18 158Кешбэк 2 723 балла
    BLF989SUТранзистор: BLF989S/SOT539/TRAY
    35 273Кешбэк 5 290 баллов
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    59 484Кешбэк 8 922 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП