Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLP05H6350XRGY
BLP05H6350XRGY

BLP05H6350XRGY

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLP05H6350XRGY
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242Все характеристики

Минимальная цена BLP05H6350XRGY при покупке от 1 шт 12172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP05H6350XRGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLP05H6350XRGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    108MHz
  • Усиление
    27dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    350W
  • Нормальное напряжение
    135 V
  • Корпус
    4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    4-HSOP
  • Base Product Number
    BLP05
Техническая документация
 BLP05H6350XRGY.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 707 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    12 172 ₽
  • 10
    12 895 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLP05H6350XRGY
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242Все характеристики

Минимальная цена BLP05H6350XRGY при покупке от 1 шт 12172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP05H6350XRGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLP05H6350XRGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    108MHz
  • Усиление
    27dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    350W
  • Нормальное напряжение
    135 V
  • Корпус
    4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    4-HSOP
  • Base Product Number
    BLP05
Техническая документация
 BLP05H6350XRGY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MTP27N06LТранзистор: NFET T0220 100V 0.07R
    99Кешбэк 14 баллов
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    92Кешбэк 13 баллов
    CGH55030F1Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    43 932Кешбэк 6 589 баллов
    BLP9H10S-500AWTYТранзистор: BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
    10 603Кешбэк 1 590 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    48 125Кешбэк 7 218 баллов
    AFV10700HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L
    131 285Кешбэк 19 692 балла
    BLM9D1822S-60PBGYBLM9D1822S-60PBG/OMP780/REELDP
    10 926Кешбэк 1 638 баллов
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    67 399Кешбэк 10 109 баллов
    UPA571T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    BLF0910H6LS500UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751
    26 929Кешбэк 4 039 баллов
    CGH60060D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    28 309Кешбэк 4 246 баллов
    CPH5848-F-TL-EPCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    49Кешбэк 7 баллов
    CPH3408-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    90Кешбэк 13 баллов
    CGHV1J070D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    91 650Кешбэк 13 747 баллов
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    3 080Кешбэк 462 балла
    CGHV60075D5-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    34 314Кешбэк 5 147 баллов
    IGN1214M300Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    186 695Кешбэк 28 004 балла
    RF5L08350CB4Транзистор: 400 W, 50 V, 0.4 TO 1 GHZ RF POW
    32 223Кешбэк 4 833 балла
    EC4303C-TLPCH 4V DRIVE SERIES
    13Кешбэк 1 балл
    PTVA101K02EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    153 917Кешбэк 23 087 баллов
    BLA9H0912L-700UТранзистор: BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
    80 044Кешбэк 12 006 баллов
    CG2H80045D-GP4Транзистор: 45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B
    38 994Кешбэк 5 849 баллов
    BLC10G22XS-400AVTYТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
    16 806Кешбэк 2 520 баллов
    2SK2539-7-TB-ENCH J-FET
    71Кешбэк 10 баллов
    BLA9H0912LS-250GUТранзистор: BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
    46 694Кешбэк 7 004 балла
    CGHV60040D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    28 510Кешбэк 4 276 баллов
    CG2H30070FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V
    96 450Кешбэк 14 467 баллов
    CPH6312-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    33.6Кешбэк 5 баллов
    BLC10G18XS-360AVTZТранзистор: BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD
    14 795Кешбэк 2 219 баллов
    BLP9LA25SZТранзистор: BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
    3 390Кешбэк 508 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП