Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS8G2731LS-400PU
  • В избранное
  • В сравнение
BLS8G2731LS-400PU

BLS8G2731LS-400PU

BLS8G2731LS-400PU
;
BLS8G2731LS-400PU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS8G2731LS-400PU
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLS8G2731LS-400PU при покупке от 1 шт 145418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS8G2731LS-400PU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS8G2731LS-400PU

BLS8G2731LS-400PU Ampleon USA Inc. — это транзистор RF FET LDMOS с напряжением разрыва 65В и выходной мощностью 13 дБм, упаковка SOT539B.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва: 65В
    • Выходная мощность: 13 дБм
    • Упаковка: SOT539B
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Стабильная работа на высоких частотах
    • Высокое напряжение разрыва
    • Малый размер и легкость благодаря упаковке SOT539B
  • Минусы:
    • Требует специализированного оборудования для монтажа из-за малого размера упаковки
    • Высокие требования к проектированию и охлаждению
  • Общее назначение:
    • Радиостанции и системы связи
    • Телевизионные передатчики
    • Мобильные радиосистемы
  • Применение:
    • Телекоммуникационные сети
    • Маршрутизаторы и роутеры
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLS8G2731LS-400PU

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    3.1GHz
  • Усиление
    13dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B
  • Base Product Number
    BLS8

Техническая документация

 BLS8G2731LS-400PU.pdf
pdf. 0 kb
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    145 418 ₽
  • 20
    130 703 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS8G2731LS-400PU
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLS8G2731LS-400PU при покупке от 1 шт 145418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS8G2731LS-400PU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS8G2731LS-400PU

BLS8G2731LS-400PU Ampleon USA Inc. — это транзистор RF FET LDMOS с напряжением разрыва 65В и выходной мощностью 13 дБм, упаковка SOT539B.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва: 65В
    • Выходная мощность: 13 дБм
    • Упаковка: SOT539B
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Стабильная работа на высоких частотах
    • Высокое напряжение разрыва
    • Малый размер и легкость благодаря упаковке SOT539B
  • Минусы:
    • Требует специализированного оборудования для монтажа из-за малого размера упаковки
    • Высокие требования к проектированию и охлаждению
  • Общее назначение:
    • Радиостанции и системы связи
    • Телевизионные передатчики
    • Мобильные радиосистемы
  • Применение:
    • Телекоммуникационные сети
    • Маршрутизаторы и роутеры
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLS8G2731LS-400PU

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    3.1GHz
  • Усиление
    13dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    400W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B
  • Base Product Number
    BLS8

Техническая документация

 BLS8G2731LS-400PU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF184XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    28 955Кешбэк 4 343 балла
    BLF8G24LS-100VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    12 005Кешбэк 1 800 баллов
    BLC8G27LS-60AVZТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLF184XRGQТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    28 955Кешбэк 4 343 балла
    BLC8G27LS-210PVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513
    14 984Кешбэк 2 247 баллов
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    54 876Кешбэк 8 231 балл
    BLF6G38S-25,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B
    13 910Кешбэк 2 086 баллов
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    47 749Кешбэк 7 162 балла
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 292Кешбэк 1 093 балла
    BLF6G22LS-40P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
    11 718Кешбэк 1 757 баллов
    BLF7G27L-150P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
    25 383Кешбэк 3 807 баллов
    BLF6G38-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
    26 213Кешбэк 3 931 балл
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    17 580Кешбэк 2 637 баллов
    BLD6G22LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
    20 539Кешбэк 3 080 баллов
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 031Кешбэк 2 254 балла
    BLF7G20LS-140P,112RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    18 254Кешбэк 2 738 баллов
    BLF182XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    22 514Кешбэк 3 377 баллов
    BLF6G10LS-135R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
    20 044Кешбэк 3 006 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    164 135Кешбэк 24 620 баллов
    BLS8G2731LS-400PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
    145 418Кешбэк 21 812 баллов
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    121 461Кешбэк 18 219 баллов
    BLF7G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    21 535Кешбэк 3 230 баллов
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    37 737Кешбэк 5 660 баллов
    BLF7G27LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B
    14 792Кешбэк 2 218 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    79 870Кешбэк 11 980 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    16 767Кешбэк 2 515 баллов
    BLF7G24LS-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    23 898Кешбэк 3 584 балла
    BLF7G24L-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
    25 948Кешбэк 3 892 балла
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    17 621Кешбэк 2 643 балла
    BLF2425M7LS140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    26 795Кешбэк 4 019 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП