BM63575S-VA

BM63575S-VA — это интегральный транзисторный модуль (IPM) производства Rohm Semiconductor. Он предназначен для использования в различных приложениях, требующих эффективного управления мощностью.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 600 В
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Мощность: до 200 ВА
• Частота работы: до 10 кГц
• Температурный диапазон: от -40°C до +125°C

• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность благодаря интеграции IGBT и силового диода в одном корпусе
• Упрощенная конструкция и легкость в установке
• Высокая эффективность работы
• Регулируемая частота работы для оптимизации энергопотребления

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с отдельными компонентами
• Ограниченная гибкость в настройках, так как все функции интегрированы в одном модуле

• Общее назначение:

BM63575S-VA используется в различных приложениях, где требуется управление мощностью, включая:

• Приводы двигателей
• Автомобильные системы (например, системы управления двигателем)
• Системы управления электросетями
• Промышленное оборудование
• Электронные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности