Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
BSC010NE2LSIATMA1
BSC010NE2LSIATMA1

BSC010NE2LSIATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC010NE2LSIATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC010NE2LSIATMA1 при покупке от 1 шт 342.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC010NE2LSIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSC010NE2LSIATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    38A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    59 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4200 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-7
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC010
Техническая документация
 BSC010NE2LSIATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 6449 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    342 ₽
  • 10
    228 ₽
  • 100
    165 ₽
  • 1000
    137 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC010NE2LSIATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC010NE2LSIATMA1 при покупке от 1 шт 342.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC010NE2LSIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSC010NE2LSIATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    38A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    59 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4200 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-7
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC010
Техническая документация
 BSC010NE2LSIATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    25P06P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
    231Кешбэк 34 балла
    BSS138IXTSA1SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
    26Кешбэк 3 балла
    2SJ598-AYSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    180Кешбэк 27 баллов
    IRFR120PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    294Кешбэк 44 балла
    HUF75339S3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    257Кешбэк 38 баллов
    DMNH6012SPSQ-13MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
    320Кешбэк 48 баллов
    TK190A65Z,S4XТранзистор: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
    772Кешбэк 115 баллов
    SIHG080N60E-GE3E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
    1 067Кешбэк 160 баллов
    STF16N90K5MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
    1 095Кешбэк 164 балла
    2N7002 TR13 PBFREEMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
    59Кешбэк 8 баллов
    PJD50P04-AU_L2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    290Кешбэк 43 балла
    IPD60R280P7SAUMA1MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
    265Кешбэк 39 баллов
    RJ1L12BGNTLLNCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
    1 202Кешбэк 180 баллов
    BUK9M67-60ELXSINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L
    254Кешбэк 38 баллов
    FCD360N65S3R0MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
    270Кешбэк 40 баллов
    MTW16N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    358Кешбэк 53 балла
    SQJA00EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
    231Кешбэк 34 балла
    AOI950A70MOSFET N-CH 700V 5A TO251A
    353Кешбэк 52 балла
    SISA96DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
    99Кешбэк 14 баллов
    MCH6336-TL-EMOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6
    46Кешбэк 6 баллов
    TPH1R306P1,L1QMOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
    513Кешбэк 76 баллов
    IXTY01N100D-TRLMOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
    928Кешбэк 139 баллов
    SQJA82EP-T1_BE3N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    318Кешбэк 47 баллов
    IXTA4N150HVMOSFET N-CH 1500V 4A TO263
    2 550Кешбэк 382 балла
    CSD18510KTTMOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
    551Кешбэк 82 балла
    SQS414CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
    178Кешбэк 26 баллов
    IXFA72N30X3MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
    1 838Кешбэк 275 баллов
    SQJ446EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    369Кешбэк 55 баллов
    NVMFS5C673NT1GMOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
    351Кешбэк 52 балла
    IPD90P03P4L04ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    468Кешбэк 70 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП