Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
BSC014N04LSTATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1
;
BSC014N04LSTATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC014N04LSTATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC014N04LSTATMA1 при покупке от 1 шт 383.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC014N04LSTATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON — это транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 33А при TC = 25°C; 100А при TC = 150°C
    • Тип корпуса: TDSON (TO-263-7 с топливным каналом)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении ввода (VGS(th))
    • Высокий коэффициент передачи (gm)
    • Низкий сопротивление в "включённом" состоянии (RD(on))
    • Надёжный корпус с топливным каналом для лучшей теплоотдачи
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует точного управления температурой для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Используется в источниках питания
    • Для управления нагрузками в системах управления приводами
    • В трансформаторных блоках питания
    • Для уменьшения энергопотерь в системах с высокой нагрузкой
  • Применение:
    • Системы питания ноутбуков и других портативных устройств
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высокими требованиями к проводимости и скорости включения
Выбрано: Показать

Характеристики BSC014N04LSTATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    33A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6020 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8 FL
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC014

Техническая документация

 BSC014N04LSTATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4710 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    383 ₽
  • 10
    235 ₽
  • 100
    191 ₽
  • 500
    151 ₽
  • 2500
    147 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC014N04LSTATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC014N04LSTATMA1 при покупке от 1 шт 383.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC014N04LSTATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON — это транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 33А при TC = 25°C; 100А при TC = 150°C
    • Тип корпуса: TDSON (TO-263-7 с топливным каналом)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении ввода (VGS(th))
    • Высокий коэффициент передачи (gm)
    • Низкий сопротивление в "включённом" состоянии (RD(on))
    • Надёжный корпус с топливным каналом для лучшей теплоотдачи
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует точного управления температурой для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Используется в источниках питания
    • Для управления нагрузками в системах управления приводами
    • В трансформаторных блоках питания
    • Для уменьшения энергопотерь в системах с высокой нагрузкой
  • Применение:
    • Системы питания ноутбуков и других портативных устройств
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высокими требованиями к проводимости и скорости включения
Выбрано: Показать

Характеристики BSC014N04LSTATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    33A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6020 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8 FL
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC014

Техническая документация

 BSC014N04LSTATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVTFS6H888NWFTAGMOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
    185Кешбэк 27 баллов
    FCPF190N65FL1-F154MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
    1 004Кешбэк 150 баллов
    NTHL019N65S3HMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 196Кешбэк 479 баллов
    NTBGS004N10GPOWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
    1 299Кешбэк 194 балла
    FDP8D5N10CMOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
    349Кешбэк 52 балла
    FCH060N80-F155MOSFET N-CH 800V 56A TO247
    3 420Кешбэк 513 баллов
    NTBG045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
    2 281Кешбэк 342 балла
    NVTFS6H880NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
    169Кешбэк 25 баллов
    NTBLS0D7N06CMOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
    1 764Кешбэк 264 балла
    NTC040N120SC1SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
    2 237Кешбэк 335 баллов
    NTBGS6D5N15MCMOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
    692Кешбэк 103 балла
    NVMFS5C450NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
    285Кешбэк 42 балла
    NTP185N60S5HMOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
    780Кешбэк 117 баллов
    NVMFS5C410NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    910Кешбэк 136 баллов
    FDB9409-F085MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    157Кешбэк 23 балла
    FDB9403L-F085MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
    170Кешбэк 25 баллов
    FDB2552-F085MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
    450Кешбэк 67 баллов
    NTB095N65S3HFMOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
    1 217Кешбэк 182 балла
    FCB099N65S3MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
    1 217Кешбэк 182 балла
    NTP011N15MCMOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220
    359Кешбэк 53 балла
    UF3SC065007K4SMOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
    13 554Кешбэк 2 033 балла
    NVBG045N065SC1SIC MOS D2PAK-7L 650V
    3 346Кешбэк 501 балл
    FCP360N65S3R0MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
    639Кешбэк 95 баллов
    FCP165N65S3R0MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    932Кешбэк 139 баллов
    FCB260N65S3MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
    765Кешбэк 114 баллов
    FCP260N65S3MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
    350Кешбэк 52 балла
    NTB110N65S3HFMOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
    1 002Кешбэк 150 баллов
    NTB150N65S3HFMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
    984Кешбэк 147 баллов
    FDB0690N1507LMOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
    1 189Кешбэк 178 баллов
    SVD14N03RT4GMOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП