Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
BSC0702LSATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC0702LSATMA1

BSC0702LSATMA1

BSC0702LSATMA1
;
BSC0702LSATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC0702LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8Все характеристики

Минимальная цена BSC0702LSATMA1 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC0702LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC0702LSATMA1

BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (N-CH).

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на изоляторе (VGS(th)) - 60В
    • Максимальный ток прямого тока (ID(on)) - 100А
    • Тип: N-канальный
    • Коллектор-эмиттерное напряжение (VCE(max)) - 8В
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Не рекомендуется для высоковольтных приложений
  • Общее назначение:
    • Используется в электронных устройствах для управления током
    • Подходит для различных приложений, требующих высокую проводимость и точности регулирования тока
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSC0702LSATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 49µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4400 pF @ 30 V
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC0702

Техническая документация

 BSC0702LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4310 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    387 ₽
  • 10
    258 ₽
  • 100
    174 ₽
  • 1000
    131 ₽
  • 5000
    109 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC0702LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8Все характеристики

Минимальная цена BSC0702LSATMA1 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC0702LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC0702LSATMA1

BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (N-CH).

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение на изоляторе (VGS(th)) - 60В
    • Максимальный ток прямого тока (ID(on)) - 100А
    • Тип: N-канальный
    • Коллектор-эмиттерное напряжение (VCE(max)) - 8В
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Не рекомендуется для высоковольтных приложений
  • Общее назначение:
    • Используется в электронных устройствах для управления током
    • Подходит для различных приложений, требующих высокую проводимость и точности регулирования тока
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSC0702LSATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 49µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4400 pF @ 30 V
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC0702

Техническая документация

 BSC0702LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI01P10-TPMOSFET P-CH 100V 1A SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    HUF75631SK8N-CHANNEL POWER MOSFET
    258Кешбэк 38 баллов
    SI2337DS-T1-BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
    284Кешбэк 42 балла
    BSS139H6327XTSA1MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMT3006LFG-7MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
    188Кешбэк 28 баллов
    RJK03M9DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    112Кешбэк 16 баллов
    SI3099-TPN-CHANNEL MOSFET,SOT-23
    39Кешбэк 5 баллов
    DMP6185SE-13MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
    126Кешбэк 18 баллов
    STD4N90K5MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
    389Кешбэк 58 баллов
    DMN10H700S-7MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
    45Кешбэк 6 баллов
    SI4401FDY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
    280Кешбэк 42 балла
    IRL100HS121MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
    208Кешбэк 31 балл
    NTTFS5D9N08HTWGMOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
    333Кешбэк 49 баллов
    TPW1R005PL,L1QMOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
    736Кешбэк 110 баллов
    SCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
    2 395Кешбэк 359 баллов
    IPSA70R600P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
    164Кешбэк 24 балла
    DMN3060LW-7MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
    74Кешбэк 11 баллов
    2N7002KW-AU_R1_000A1Транзистор: SOT-323, MOSFET
    40Кешбэк 6 баллов
    ZXMN6A07FQTAMOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    113Кешбэк 16 баллов
    RFP2P08P-CHANNEL POWER MOSFET
    61Кешбэк 9 баллов
    SIS447DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
    147Кешбэк 22 балла
    SSM3J374R,LXHFSMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
    89Кешбэк 13 баллов
    2SJ598-ZK-E1-AZMP-3ZK
    218Кешбэк 32 балла
    BSC084P03NS3GATMA1MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
    112Кешбэк 16 баллов
    IPB107N20N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
    997Кешбэк 149 баллов
    XP152A12C0MR-GMOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
    164Кешбэк 24 балла
    GT110N06SN60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
    212Кешбэк 31 балл
    BSS84K-TPMOSFET P-CH 60V 130MA SOT23
    33.6Кешбэк 5 баллов
    RQ5E025SNTLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    126Кешбэк 18 баллов
    MCU30N02-TPMOSFET N-CH 20V 30A DPAK
    145Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП