Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
BSC112N06LDATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC112N06LDATMA1

BSC112N06LDATMA1

BSC112N06LDATMA1
;
BSC112N06LDATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC112N06LDATMA1
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH 40<-<100VВсе характеристики

Минимальная цена BSC112N06LDATMA1 при покупке от 1 шт 396.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC112N06LDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC112N06LDATMA1

BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Транзистор: TRENCH 40<-<100V

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток в режиме ON (RDS(on)) - 3.7 Ω
    • Управляемый напряжение (VGS(th)) - 2.5 V
    • Максимальное номинальное напряжение между коллектором и эмиттером (VDS) - 60 V
    • Максимальная мощность при разрыве (Ptot(max)) - 21 W
    • Максимальная частота операции (fT) - 1 MHz
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Низкое сопротивление в режиме ON
    • Высокая скорость переключения
    • Малые размеры и легкий вес
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют точного подбора компонентов для оптимизации работы
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных электронных устройствах
    • Регулировка напряжения и тока в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Поддержка высоких частот в беспроводных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства (Wi-Fi, Bluetooth)
    • Преобразователи напряжения
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики BSC112N06LDATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25&#176;C
    20A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.2mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 28µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4020pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    65W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-4
  • Base Product Number
    BSC112

Техническая документация

 BSC112N06LDATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 16703 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    396 ₽
  • 10
    253 ₽
  • 100
    172 ₽
  • 1000
    130 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC112N06LDATMA1
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH 40<-<100VВсе характеристики

Минимальная цена BSC112N06LDATMA1 при покупке от 1 шт 396.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC112N06LDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC112N06LDATMA1

BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Транзистор: TRENCH 40<-<100V

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток в режиме ON (RDS(on)) - 3.7 Ω
    • Управляемый напряжение (VGS(th)) - 2.5 V
    • Максимальное номинальное напряжение между коллектором и эмиттером (VDS) - 60 V
    • Максимальная мощность при разрыве (Ptot(max)) - 21 W
    • Максимальная частота операции (fT) - 1 MHz
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Низкое сопротивление в режиме ON
    • Высокая скорость переключения
    • Малые размеры и легкий вес
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют точного подбора компонентов для оптимизации работы
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных электронных устройствах
    • Регулировка напряжения и тока в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Поддержка высоких частот в беспроводных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства (Wi-Fi, Bluetooth)
    • Преобразователи напряжения
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики BSC112N06LDATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25&#176;C
    20A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.2mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 28µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4020pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    65W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-4
  • Base Product Number
    BSC112

Техническая документация

 BSC112N06LDATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM4953DCS RLGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 4.9A 8SOP
    232Кешбэк 34 балла
    2SK4098LS-YOC11N-CHANNEL MOSFET
    107Кешбэк 16 баллов
    SQ4284EY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    434Кешбэк 65 баллов
    SQ1912EH-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
    91Кешбэк 13 баллов
    FS30ASJ-2-T13#B00Транзистор: HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL
    287Кешбэк 43 балла
    CPH5614-TL-EТранзистор: N-CHANNEL SILICON MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    SQ4917EY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
    263Кешбэк 39 баллов
    EFC3J018NUZTDGТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
    295Кешбэк 44 балла
    TSM8568CS RLGТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP
    239Кешбэк 35 баллов
    DMC2991UDJ-7BТранзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT963 T&R
    54Кешбэк 8 баллов
    NTK3142PT1HТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    7.4Кешбэк 1 балл
    SQJB04ELP-T1_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    276Кешбэк 41 балл
    NX6008NBKSXТранзистор: NX6008NBKS/SOT363/SC-88
    52Кешбэк 7 баллов
    TSM250N02DCQ RFGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
    156Кешбэк 23 балла
    2N7002KDW_R1_00001Транзистор: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    39Кешбэк 5 баллов
    MCQ7328-TPТранзистор: P-CHANNELMOSFETSOP-8
    159Кешбэк 23 балла
    RMD0A8P20ES9Транзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 800MA SOT363
    17.2Кешбэк 2 балла
    SQJ262EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    352Кешбэк 52 балла
    EPC2106Транзистор: GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
    493Кешбэк 73 балла
    DMC3071LVT-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
    98Кешбэк 14 баллов
    SSM6P54TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
    76Кешбэк 11 баллов
    BSC112N06LDATMA1Транзистор: TRENCH 40<-<100V
    396Кешбэк 59 баллов
    PJX138L_R1_00001Транзистор: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    91Кешбэк 13 баллов
    SIZF906BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
    511Кешбэк 76 баллов
    2SK2631-TL-E-ONPOWER MOSFET
    224Кешбэк 33 балла
    STL76DN4LF7AGТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A PWRFLAT
    324Кешбэк 48 баллов
    AO6608Транзистор: MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP
    145Кешбэк 21 балл
    MTD3N25E1-MOTRANS MOSFET N-CH 250V 3A 3PIN(2
    126Кешбэк 18 баллов
    MCM2301-TPТранзистор: P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC
    87Кешбэк 13 баллов
    FS30KM-3#B00N-CHANNEL , 150V, 30A
    389Кешбэк 58 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП