Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1
;
BSC190N12NS3GATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC190N12NS3GATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC190N12NS3GATMA1 при покупке от 1 шт 367.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC190N12NS3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies — транзистор MOSFET N-канальный.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-;base (VGS) — 120В
    • Максимальный ток дrain-source (ID) — 8.6А при TC = 25°C
    • Максимальный ток дrain-source при максимальной температуре (ID) — 44А при TC = 250°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокие электрические характеристики
    • Компактная конструкция TDSON
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует внимания к проектированию для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в различных приборах и системах
    • Регулирование тока в электронных устройствах
    • Изоляция сигналов и управление высокими напряжениями
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие устройства
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики BSC190N12NS3GATMA1

Техническая документация

BSC190N12NS3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 11250 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    367 ₽
  • 10
    234 ₽
  • 100
    158 ₽
  • 1000
    118 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC190N12NS3GATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC190N12NS3GATMA1 при покупке от 1 шт 367.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC190N12NS3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies — транзистор MOSFET N-канальный.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-;base (VGS) — 120В
    • Максимальный ток дrain-source (ID) — 8.6А при TC = 25°C
    • Максимальный ток дrain-source при максимальной температуре (ID) — 44А при TC = 250°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокие электрические характеристики
    • Компактная конструкция TDSON
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует внимания к проектированию для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в различных приборах и системах
    • Регулирование тока в электронных устройствах
    • Изоляция сигналов и управление высокими напряжениями
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие устройства
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики BSC190N12NS3GATMA1

Техническая документация

BSC190N12NS3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории