BSC265N10LSFGATMA1

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 100В 6,5А/40А TDSON — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Данный транзистор используется в различных электронных устройствах из-за своих характеристик.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (V_DS(ON)): 100В
• Максимальная токовая способность (I_D): 6,5А (непрерывный), 40А (импульсный)
• Тип корпуса: TDSON (Thermally Enhanced DFN with Side Bonding)
• Плюсы:
• Высокая токовая способность для своего размера.
• Низкое напряжение приключенного состояния (V_GS(TH)) обеспечивает эффективное управление током.
• Теплопроводная конструкция корпуса обеспечивает хорошую термическую стабильность.
• Малый размер и легкий вес делают его удобным для применения в компактных устройствах.
• Минусы:
• Требуется внимательное отношение к проектированию системы охлаждения из-за высокой теплопроводности.
• Могут возникнуть проблемы с шумом и помехами при использовании на больших токах.
• Общее назначение:
• Используется в различных приложениях, где требуется высокая токовая способность и низкое напряжение приключенного состояния.
• Подходит для преобразователей питания, инверторов, синхронных rectifiers.
• Распространен в бытовой технике, электромобилях, промышленном оборудовании.
• Применяется в:
• Преобразователях питания.
• Инверторах для систем хранения энергии.
• Синхронных rectifiers.
• Устройствах для управления двигателем.