Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
BSD235NH6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSD235NH6327XTSA1

BSD235NH6327XTSA1

BSD235NH6327XTSA1
;
BSD235NH6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSD235NH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363Все характеристики

Минимальная цена BSD235NH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSD235NH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSD235NH6327XTSA1

Базовая информация:

  • Модель: BSD235NH6327XTSA1
  • Производитель: Infineon Technologies
  • Тип: MOSFET 2N-CH (N-канальный)
  • Номинальное напряжение: 20В
  • Номинальный ток: 0.95А
  • Пакет: SOT363

Основные параметры:

  • VDS(on): 2.5В (максимальное)
  • RDS(on): 0.48Ω (максимальное при VGS=4.5В)
  • Температурный коэффициент RDS(on): +250mK/°C (максимальный)

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству от Infineon Technologies.
  • Низкое сопротивление при conducting (RDS(on)) обеспечивает минимальные потери энергии.
  • Устойчивость к перегреву благодаря низкому температурному коэффициенту RDS(on).

Минусы:

  • Номинальный ток низкий (0.95А), что ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Номинальное напряжение ограничено (20В), что может быть недостаточно для некоторых высоковольтных устройств.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Переключение нагрузок в различных системах.
  • Ограничение тока для защиты других компонентов.

Применение:

  • Питание блоков питания для различных устройств.
  • Автомобильная электроника, где требуется управление нагрузками.
  • Маломощные преобразователи напряжения и регуляторы.
Выбрано: Показать

Характеристики BSD235NH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    950mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350mOhm @ 950mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 1.6µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.32nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    63pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Base Product Number
    BSD235

Техническая документация

 BSD235NH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 194 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 10
    33 ₽
  • 100
    20 ₽
  • 500
    17.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSD235NH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363Все характеристики

Минимальная цена BSD235NH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSD235NH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSD235NH6327XTSA1

Базовая информация:

  • Модель: BSD235NH6327XTSA1
  • Производитель: Infineon Technologies
  • Тип: MOSFET 2N-CH (N-канальный)
  • Номинальное напряжение: 20В
  • Номинальный ток: 0.95А
  • Пакет: SOT363

Основные параметры:

  • VDS(on): 2.5В (максимальное)
  • RDS(on): 0.48Ω (максимальное при VGS=4.5В)
  • Температурный коэффициент RDS(on): +250mK/°C (максимальный)

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству от Infineon Technologies.
  • Низкое сопротивление при conducting (RDS(on)) обеспечивает минимальные потери энергии.
  • Устойчивость к перегреву благодаря низкому температурному коэффициенту RDS(on).

Минусы:

  • Номинальный ток низкий (0.95А), что ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Номинальное напряжение ограничено (20В), что может быть недостаточно для некоторых высоковольтных устройств.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Переключение нагрузок в различных системах.
  • Ограничение тока для защиты других компонентов.

Применение:

  • Питание блоков питания для различных устройств.
  • Автомобильная электроника, где требуется управление нагрузками.
  • Маломощные преобразователи напряжения и регуляторы.
Выбрано: Показать

Характеристики BSD235NH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    950mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350mOhm @ 950mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 1.6µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.32nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    63pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Base Product Number
    BSD235

Техническая документация

 BSD235NH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIA921EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    185Кешбэк 27 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SIA923EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SI5936DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    193Кешбэк 28 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    SI4214DDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов
    SI6954ADQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    SIZ340DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
    267Кешбэк 40 баллов
    SI6926ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4564DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
    276Кешбэк 41 балл
    SI4909DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
    291Кешбэк 43 балла
    SI7212DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SI7288DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
    308Кешбэк 46 баллов
    SQJ844AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    376Кешбэк 56 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    426Кешбэк 63 балла
    SI4559ADY-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП