BSO065N03MSGXUMA1

BSO065N03MSGXUMA1 — это полупроводниковый элемент производства Infineon Technologies, который относится к категории MOSFET (MOS-полевого транзистора).

• Основные параметры:
• Рейтинг напряжения вдоль канала (V_GS(th)): 2.7 В
• Рейтинг тока (I_D): 65 А
• Максимальное напряжение между дреном и эмиттером (V_DS(on)): 33 В
• Технология производства: SiC (silicon carbide)
• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе с высокими частотами
• Малое значение тока утечки
• Устойчивость к тепловым нагрузкам
• Минимизация потерь энергии
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требуются специфические условия для охлаждения
• Общее назначение:
• Контроль мощности в электронных системах
• Использование в инверторах для преобразования напряжения
• Регулировка тока в различных приборах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Системы управления двигателем
• Промышленные преобразователи
• Солнечные панели и системы хранения энергии
• Электропоезда и электромобили