Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSO110N03MSGXUMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSO110N03MSGXUMA1

BSO110N03MSGXUMA1

BSO110N03MSGXUMA1
;
BSO110N03MSGXUMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSO110N03MSGXUMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSOВсе характеристики

Минимальная цена BSO110N03MSGXUMA1 при покупке от 1 шт 142.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSO110N03MSGXUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSO110N03MSGXUMA1

BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

  • MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 30 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 10 А
  • Количество выводов (DSO): 8

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Малый динамический трение
  • Простота применения
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Высокое сопротивление при открытом канале
  • Необходимость учета тепловых потерь

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Усиление сигналов

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника
  • Инверторы
  • Системы управления двигателем
  • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики BSO110N03MSGXUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 12.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.56W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-DSO-8
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    BSO110

Техническая документация

 BSO110N03MSGXUMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2488 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    142 ₽
  • 100
    83 ₽
  • 1000
    64 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSO110N03MSGXUMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSOВсе характеристики

Минимальная цена BSO110N03MSGXUMA1 при покупке от 1 шт 142.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSO110N03MSGXUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSO110N03MSGXUMA1

BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

  • MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 30 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 10 А
  • Количество выводов (DSO): 8

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Малый динамический трение
  • Простота применения
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Высокое сопротивление при открытом канале
  • Необходимость учета тепловых потерь

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Усиление сигналов

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника
  • Инверторы
  • Системы управления двигателем
  • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики BSO110N03MSGXUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 12.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.56W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-DSO-8
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    BSO110

Техническая документация

 BSO110N03MSGXUMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7414DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
    504Кешбэк 75 баллов
    SUD50P10-43L-GE3MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
    595Кешбэк 89 баллов
    SI8808DB-T2-E1MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
    128Кешбэк 19 баллов
    SIA461DJ-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SIB406EDK-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
    159Кешбэк 23 балла
    SIB433EDK-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    146Кешбэк 21 балл
    SI2343DS-T1-E3MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
    287Кешбэк 43 балла
    IRF520PBFMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    119Кешбэк 17 баллов
    IRFR210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    94Кешбэк 14 баллов
    SIS454DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIHB22N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
    954Кешбэк 143 балла
    SIR402DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    367Кешбэк 55 баллов
    SI1443EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
    102Кешбэк 15 баллов
    IRF820PBFMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
    115Кешбэк 17 баллов
    SI4465ADY-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 8SOIC
    500Кешбэк 75 баллов
    SIRA04DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    345Кешбэк 51 балл
    SISS40DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
    346Кешбэк 51 балл
    SI7611DN-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
    439Кешбэк 65 баллов
    SI4401BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    498Кешбэк 74 балла
    SQD40N06-14L_GE3MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
    450Кешбэк 67 баллов
    SI8489EDB-T2-E1MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
    132Кешбэк 19 баллов
    SI8457DB-T1-E1MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
    115Кешбэк 17 баллов
    SI4463BDY-T1-E3MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3493BDV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
    254Кешбэк 38 баллов
    SI3410DV-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
    224Кешбэк 33 балла
    SI7149DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
    424Кешбэк 63 балла
    SI3433CDV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
    120Кешбэк 18 баллов
    IRFR310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
    107Кешбэк 16 баллов
    SI1330EDL-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
    148Кешбэк 22 балла
    SI7655DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП