BSO150N03MDGXUMA1

Основные параметры:

• Тип транзистора: MOSFET
• Канальность: 2 N-канала (два независимых N-канальных MOSFET транзистора в одном корпусе)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 30 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 8 А (для каждого транзистора)
• Корпус: 8DSO (8-выводной корпус Small Outline, обычно PG-TDSON-8)
• Производитель: Infineon Technologies

Плюсы:

• Высокая плотность мощности: Два транзистора в одном компактном корпусе экономят место на печатной плате.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие потери мощности и высокую эффективность.
• Быстрое переключение: Характерно для MOSFET, что позволяет использовать их в высокочастотных приложениях.
• Широкий диапазон применения: Подходит для различных схем управления питанием.
• Надежность: Продукция Infineon обычно отличается высоким качеством и надежностью.

Минусы:

• Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, требует осторожного обращения.
• Возможное тепловыделение: При работе на высоких токах и напряжениях может потребоваться дополнительное охлаждение, несмотря на низкое Rds(on).
• Ограниченное напряжение: 30 В ограничивает применение в схемах с более высокими напряжениями.

Общее назначение:

Данный компонент представляет собой сдвоенный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в схемах, где требуется управление питанием, коммутация или усиление сигналов. Благодаря компактному корпусу и наличию двух независимых транзисторов, он идеально подходит для приложений с ограниченным пространством.

В каких устройствах применяется:

• DC/DC преобразователи (повышающие, понижающие)
• Драйверы двигателей (например, для шаговых двигателей, бесщеточных двигателей постоянного тока)
• Схемы управления питанием в ноутбуках, планшетах, смартфонах
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Схемы защиты батарей
• Светодиодные драйверы
• Схемы коммутации нагрузки
• Источники питания для серверов и телекоммуникационного оборудования
• Инверторы малой мощности