Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

BSP613PH6327XTSA1

BSP613PH6327XTSA1

BSP613PH6327XTSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул:
BSP613PH6327XTSA1
Описание:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP613PH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP613PH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BSP613PH6327XTSA1

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-SOT223-4
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
BSP613

Техническая документация

BSP613PH6327XTSA1.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

484 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
310 ₽
10
159 ₽
25
141 ₽
100
119 ₽
500
116 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул:
BSP613PH6327XTSA1
Описание:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP613PH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP613PH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BSP613PH6327XTSA1

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-SOT223-4
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
BSP613

Техническая документация

BSP613PH6327XTSA1.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

DMP2160UW-7 Транзистор: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323

77Кешбэк 11 баллов

RJK1560DPP-M0#T2 MOSFET N-CH 150V 20A TO220FL

399Кешбэк 59 баллов

NTB6413ANT4G MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

231Кешбэк 34 балла

IXTX90N25L2 MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3

6 612Кешбэк 991 балл

IRFP3206PBF Транзистор: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC

656Кешбэк 98 баллов

SI7113DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

303Кешбэк 45 баллов

PMPB12UN,115 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

53Кешбэк 7 баллов

TPN30008NH,LQ MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

241Кешбэк 36 баллов

DMN3730U-7 MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

86Кешбэк 12 баллов

FQPF5N50CYDTU Транзистор: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3

114Кешбэк 17 баллов

IXTT1N450HV MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

8 404Кешбэк 1 260 баллов

DMN65D8LFB-7 MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

48Кешбэк 7 баллов

IRFBC30PBF MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

331Кешбэк 49 баллов

TK11P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK

476Кешбэк 71 балл

IXTH110N10L2 MOSFET N-CH 100V 110A TO247

3 788Кешбэк 568 баллов

NTMFS5C468NLT1G MOSFET N-CH 40V 5DFN

59Кешбэк 8 баллов

STN3N45K3 MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223

114Кешбэк 17 баллов

IRFIB7N50APBF MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

606Кешбэк 90 баллов

PSMN8R2-80YS,115 MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56

322Кешбэк 48 баллов

IRFS3306TRLPBF MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

527Кешбэк 79 баллов

STD70N6F3 MOSFET N-CH 60V 70A DPAK

513Кешбэк 76 баллов

14.7Кешбэк 2 балла

FDMC86102 MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33

410Кешбэк 61 балл

SPP11N60C3XKSA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

386Кешбэк 57 баллов

IXTH48N65X2 MOSFET N-CH 650V 48A TO247

1 826Кешбэк 273 балла

AON7428 MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN

312Кешбэк 46 баллов

IXTQ14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO3P

476Кешбэк 71 балл

2N7000TA MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

72Кешбэк 10 баллов

2SK4222 MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB

1 993Кешбэк 298 баллов

CSD16407Q5 MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON

457Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Тиристоры - SCR - модули

Диоды силовые

Диодные мосты

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Высокочастотные диоды

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Симисторы - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Принадлежности

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды - выпрямители - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы

Модули драйверов питания

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Полевые транзисторы - Сборки

Драйверы питания - Модули

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды выпрямительные - Сборки

Триодные тиристоры - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды - ВЧ

Симисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Тиристоры - SCR

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диоды - мостовые выпрямители

Варикапы и Варакторы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Высокочастотные полевые транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - JFET

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Тиристоры - TRIACs

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

IGBT транзисторы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали